一、高介电常数微波介质陶瓷（论文文献综述）
朱惠[1]（2021）在《离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究》文中研究表明本文采用固相法制备SrAl2Si2O8（SAS）系微波介质陶瓷。分别采用Sr2+位离子取代(Mn2+、Zn2+、Ni2+)和Al3+位离子取代(Co3+、Fe3+、Cr3+),研究不同离子掺杂对SAS陶瓷的烧结性能、物相和微波介电性能的影响。旨在寻找一种能显着提高SAS陶瓷微波介电性能的离子,并明确其制备工艺条件和配方比例,为下一步降低烧结温度和调整谐振频率温度系数奠定基础,通过一系列改性研究,该材料有望应用于低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC）技术领域。本文研究的主要内容如下:（1）首先制备未掺杂离子的SAS微波介质陶瓷。结果表明,经预烧温度为1050℃、保温3 h,烧结温度为1475℃、保温5 h处理后,陶瓷试样的密度达到最大值ρ=3.0469g/cm3,为锶长石理论密度的98%,晶体结构致密。经XRD分析,陶瓷的物相为单斜锶长石相,无第二相生成。其微波介电性能为:εr=7.01,Q×f=37502 GHz,τf=-42.88×10-6/℃。（2）然后分别采用Mn2+、Zn2+、Ni2+取代Sr2+位离子,研究它们对SAS陶瓷的烧结性能、物相和微波介电性能的影响。结果表明:三种离子均能适当提高SAS陶瓷的致密性,理论密度≥98%,经XRD物相分析,Mn2+、Zn2+掺杂后,SAS陶瓷试样均生成单一的单斜锶长石,无第二相生成,而掺杂Ni2+后,陶瓷试样中生成了杂相Ni O2和Ni2Si O4。三种离子对SAS的微波介电性能有不同程度的改善。当烧结温度为1475℃时,(Sr0.995Mn0.005)Al2Si2O8陶瓷试样的微波介电性能为:εr=7.12、Q×f=45844 GHz、τf=-41.56×10-6/℃。当烧结温度为1550℃时,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=7、Q×f=48252 GHz、τf=-36.35×10-6/℃。当烧结温度为1500℃时,(Sr0.995Ni0.005)Al2Si2O8陶瓷试样的微波介电性能为:εr=7.03、Q×f=45646 GHz、τf=-34.96×10-6/℃。综合比较下,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介电性能较好。（3）最后分别采用Co3+、Fe3+、Cr3+取代Al3+位离子,研究它们对SAS陶瓷的烧结性能、物相以及微波介电性能的影响。结果表明:Co3+可促进SAS陶瓷密度增加并使烧结温度降低,经XRD物相分析,陶瓷物相为锶长石相,无第二相生成。Fe3+和Cr3+离子掺杂不仅使SAS陶瓷的致密度降低、烧结温度升高T≥1500℃,而且分别生成了杂相Fe2Si O4和SrAl2O4。三种离子对SAS微波介电性能均有不同程度的改善。当烧结温度为1425℃时,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=7.14、Q×f=49010 GHz、τf=-38.97×10-6/℃。当烧结温度为1475℃时,Sr(Al0.9975Fe0.0025)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=6.98、Q×f=42636 GHz、τf=-20.20×10-6/℃。当烧结温度为1525℃时,Sr(Al0.9925Cr0.0075)2Si2O8陶瓷的微波介电性能为:εr=6.91、Q×f=37960 GHz、τf=-109.20×10-6/℃。综合比较下,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介电性能较好。综合考虑Sr2+位和Al3+位离子掺杂,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷试样的烧结温度最低,微波介电性能最优。
栾晓雯[2]（2021）在《低介电微波介质陶瓷的制备及其性能优化》文中研究指明5G网络和现代无线通讯产业的飞速发展,极大的促进了微波介质材料的市场应用。为了满足现代移动通讯的高品质要求,研究人员需要研发出拥有更高性能的微波介质陶瓷。为了寻找性能优良的微波介质陶瓷,本文采用固相反应法和反应烧结法制备了Sr1+xNd2Al2O7+x（0≤x≤0.04）、Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）、Sr1.03Sm2Al2O7.03+ZL（ZL=ZnO、Li F）、M3ZnTiGe3O12（M=Ca,Mg）等低介电微波陶瓷。（1）采用固相反应法和反应烧结两种方法制备了Sr1+xNd2Al2O7+x（0≤x≤0.04）陶瓷。Sr2+的过量可以提升陶瓷的微波介电性能。采用固相反应法,1550°C烧结的Sr1+xNd2Al2O7+x（x=0.03）陶瓷表现出优异的微波介电性能:（？）r=19.52,τf=-4.29 ppm/°C,Q×f=72700 GHz。采用反应烧结法,1600°C烧结的Sr1+xNd2Al2O7+x（x=0.03）陶瓷具有良好的综合性能:Q×f=68600 GHz,τf=-3.49 ppm/°C,（？）r=18.53,体积密度ρ=6.03 g/cm3。（2）通过固相反应法制备的Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）陶瓷,发现Sr2+的过量可以显着提升陶瓷的品质因数。当x=0.03时,1550°C烧结的Sr1+xSm2Al2O7+x陶瓷具备良好的微波介电性能:（？）r=18.31,Q×f=78000 GHz,τf=2.28 ppm/°C。通过反应烧结制备的Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）陶瓷,步骤简单,且具备更加优秀的微波性能:当x=0.03时,1600℃烧结的陶瓷具有优异的微波介电性能:（？）r=19.0,Q×f=94300 GHz,τf=6.74 ppm/°C。（3）通过添加0.25 wt%ZnO和0.25 wt%Li F的烧结助剂,有效降低了Sr1+xSm2Al2O7+x的预烧温度,提升了其Q×f值。当烧结温度为1550℃时,Sr1.03Sm2Al2O7.03+0.25 wt%ZL（ZL=ZnO、Li F）陶瓷表现出优异的微波介电性:（？）r=19.4,Q×f=81400 GHz,τf=3.28 ppm/°C。采用反应烧结方法来简化陶瓷的制备工艺,其微波性能为:（？）r=18.8,Q×f=78100 GHz,τf=5.28 ppm/°C。（4）通过固相反应法制备了Ca3ZnTiGe3O12和Mg3ZnTiGe3O12低介电微波陶瓷。Ca3ZnTiGe3O12陶瓷为纯相,Mg3ZnTiGe3O12陶瓷除了主相Mg Ge O3之外,还存在第二相Mg Ti2O5和Zn2Ti O4。当烧结温度为1145°C时,Ca3ZnTiGe3O12陶瓷具有良好的微波介电性能:（？）r=12.55,Q×f=27800 GHz,τf=-43.0 ppm/°C。当烧结温度为1175°C时,Mg3ZnTiGe3O12陶瓷具有良好的微波介电性能:（？）r=9.94,Q×f=72000 GHz,τf=-48.0 ppm/°C。
王刚[3]（2021）在《低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究》文中进行了进一步梳理数字家电、5G移动通信、物联网、人工智能等新技术的兴起,极大地推动了电子元器件高频化、微型化、集成化及多功能化进程,同时也对微波介质材料提出了更为严格的要求。因此,微波介质材料正向着满足通信系统高集成化、超宽带、超低损耗方向发展。这就需要揭示微波介质材料的介电机理,优化材料的微波介电性能,发现性能调控及内在影响机制,开发出高性能5G通信用微波介质材料,该项研究具有重要的理论和实践意义。本文以中介电常数、低损耗的铌酸盐体系ZnZrNb2O8和Li3Mg2NbO8陶瓷作为研究对象。采用离子取代、非化学计量比及烧结助剂对微波介电性能进行优化,并基于化学键理论、结构精修、Raman光谱、键能计算等分析手段,揭示结构-微波介电性能调控机理。其次,为了满足低温共烧陶瓷（LTCC）技术要求,通过优化烧结助剂及离子取代方案实现了铌酸盐材料纯相、高性能低温烧结。并基于此设计制作了5G通信用带通滤波器,测试分析结果验证了材料工程应用的可行性。主要研究结果如下:首先,系统地研究了Cu2+离子取代对ZnZrNb2O8陶瓷的晶体结构、微观形貌、Raman振动及微波介电性能的影响。Cu2+离子取代形成了固溶体,导致了晶胞体积的减小,样品的晶粒形态从多面体结构向棒状结构演变。Cu2+离子取代降低了Nb-O键离子性及介电常数。同时Raman半峰宽的降低及晶格能的增加导致了Q×f值的提升。样品的τf值主要受Nb-O键能影响。当烧结在1175℃时,Zn0.04Cu0.06Zr Nb2O8陶瓷的介电性能较为优异:εr=27.9,Q×f=73,200 GHz和τf=-40ppm/℃。其次,采用LBBS助烧剂实现了ZnZrNb2O8陶瓷的低温烧结,获得了优异的微波介电性能。LBBS助烧剂的添加能够实现陶瓷纯相、低温烧结,同时促进晶粒生长,提高ZnZrNb2O8陶瓷的致密度。同时也改变了晶胞体积、NbO6八面体扭曲度、Raman位移和半峰宽,从而影响微波介电性能。ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷在950℃烧结时的微波介电性能良好:εr=27.1,Q×f=54,500 GHz和τf=-48.7ppm/℃。此外,ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷与银电极有着良好的化学兼容性,满足LTCC器件的应用需求。此外,通过A/B位离子调控,研究了Li3Mg2NbO6陶瓷微波介电性能调控机理。非计量比的Li添加能够引入晶格缺陷促进烧结、补偿Li挥发提高致密,增大离子极化率从而大幅度提高微波介电性能。为了进一步实现近零的τf值,分别采用Cu/Ta对Li3Mg2NbO6陶瓷A/B位进行取代。Cu2+离子取代后晶胞体积逐渐增加,但原子堆积比逐渐降低,因此导致Q×f值的下降。介电常数的增大与Cu2+离子的高离子极化率有关。同时,Cu2+离子取代改变了NbO6八面体扭曲度,使得陶瓷的τf值向正方向移动。当烧结在1100℃时,Li3Mg2.98Cu0.02NbO6样品具有优异的微波介电性能:εr=15.75,Q×f=92,000 GHz和τf=-2 ppm/℃。此外,我们也采用Ta5+离子取代同时实现提升Q×f值及调节τf值。Ta5+离子降低了晶胞体积,导致了原子堆积比的增加。优化的微观结构及高的堆积比导致了Q×f值的显着增加。而NbO6八面体扭曲度的增加及Nb-O键价的减小提高了陶瓷的温度稳定性。当烧结温度为1100℃时,x=0.02样品的微波介电性能极其优异:εr=15.58,Q×f=113,000 GHz和τf=-4.5 ppm/℃,满足下一代毫米波通讯的要求。再者,为了实现Li3Mg2NbO6陶瓷的低温烧结lunwen,我们对比采用了V5+离子和Li F烧结助剂。首先,V5+离子进入晶格形成固溶体,能够实现陶瓷的纯相、低温烧结。当烧结在900℃时,Li3Mg2Nb0.98V0.02O6样品的微波介电性能卓越:εr=16.01,Q×f=131,000 GHz和τf=-26 ppm/℃,且与银电极的化学兼容性良好,可以满足LTCC器件的实际应用。其次,为了解决玻璃助烧剂成分复杂而在降烧过程中引入第二相的问题,我们采用低熔点的Li F作为烧结助剂。由于Li F成分简单,在液相烧结的作用下,Li F添加能够实现纯相Li3Mg2NbO6陶瓷的低温烧结及致密化。当烧结在925℃时,Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F样品具有近零的τf值:εr=15.4,,Q×f=100,000 GHz和τf=-3.1 ppm/℃。最后,基于Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F陶瓷材料,通过调整流延过程中有机物比例获得平整、均匀的流延膜片,采用LTCC工艺设计制作了带通滤波器。测试结果表明:中心频率为3.5GHz,带内插损约为3 dB,3 GHz处|S21|值衰减大于40 dB,4GHz处|S21|值衰减大于50 dB。测试结果和仿真结果的一致性验证了材料在工程应用中的可行性和实用性。
熊喆[4]（2020）在《Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究》文中研究表明高介微波介质陶瓷及LTCC微波陶瓷材料对微波器件的小型化和集成化有着至关重要的作用。本文以正交钨青铜结构的Ba3.75Nd9.5Ti18O54（BNT,εr～85）和正交钙钛矿结构的Ca0.61Nd0.26Ti O3（CNT,εr～107）高介微波陶瓷为研究对象,对其存在的Ti还原问题展开深入、系统的研究。此外,本文通过选取合适的烧结助剂制备出了BNT和CNT基高介LTCC微波介质陶瓷材料。本文主要研究成果如下:（1）首先用四种不同的低价金属离子(Cu2+、Cr3+、Al3+、Mn2+)对BNT陶瓷进行B位等量取代,有效地抑制了BNT陶瓷中弱束缚电子与晶格Ti的结合,进而阻止Ti还原的发生;而且还能降低BNT陶瓷的电导率,从而提升其Q×f值。用复合离子(Al0.5Nb0.5)4+对BNT陶瓷（BNTAN）进行等价的B位取代不仅在一定程度上可以提升陶瓷的Q×f值,还能持续降低体系的τf值,当(Al0.5Nb0.5)4+取代量为x=2时,BNT陶瓷的τf值降低到+0.3 ppm/℃。通过分析BNTAN样品的拉曼光谱发现:晶胞体积减小使得氧八面体收缩、扭曲,拉曼位移随之增加。氧八面体的收缩、扭曲造成了体系谐振频率温度系数的降低。晶胞体积的收缩减小了电子活动的空间,离子的电子云分布空间随之收缩,离子极化率变小,所以样品介电常数减小。在前人的研究基础上,对BNT陶瓷进行了A、B位的协同取代研究。用离子半径较小的Sm3+取代Ba3.75Nd9.5Ti17.5(Cr0.5Nb0.5)0.5O54（BNTCN）中的Nd3+,通过降低氧八面体的倾角来降低BNTCN体系的τf值。当Sm3+取代量为x=3时,样品的内部应变最小,Q×f值最大。（2）为了获得更高介电常数、低介质损耗的微波介质陶瓷,采用了五种不同金属离子(Cr3+、Al3+、Cu2+、Mn2+、Sn4+)对CNT陶瓷进行额外掺杂研究,发现Cr3+和Al3+比其它三种离子在抑制CNT陶瓷的Ti还原方面,效果更好,所以Cr3+和Al3+掺杂对陶瓷Q×f值的提升效果更显着。基于此,我们又设计研究了Ca0.61Nd0.26Ti1-xCrxO3（CNTC）陶瓷样品。结果表明,CNTC样品介电常数的降低不仅与样品的晶粒尺寸和离子极化率的降低有关,还依赖于Ca-O、Nd-O及B-O键的离子性的降低。当x=0.01时,CNTC样品的Q×f值达到最大,为16078GHz。在此基础上,分别用两种含Cr的复合离子(Cr0.5Ta0.5)4+和(Cr0.5Nb0.5)4+对CNT陶瓷（CNTCT、CNTCN）进行了B位取代研究。CNTCT和CNTCN样品在x=0～0.1范围内均表现为单一正交钙钛矿结构的相。而且,两种含Cr的CNTC和CNTCT陶瓷样品在770 cm-1处都出现新的拉曼强峰,这表明Cr3+对CNT晶体内部电子云分布造成了巨大影响,从而加强或产生了拉曼峰。CNTCT和CNTCN样品的Q×f值分别在x=0.05和x=0.06时达到最大,分别为14860和14590 GHz。这三种离子取代都会明显地降低CNT陶瓷的介电常数和τf值。τf值的降低主要与CNT晶格中的氧八面体畸变度的降低有关。（3）本文研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-xAlxO3（CNTA）陶瓷样品的TEM结果表明,x=0.05的样品中存在超晶格结构。这种超晶格结构可能是由于B位离子Ti/Al有序排列造成的。XPS结果表明CNTA样品中的Ti还原在x=0.01时就被完全抑制,因此其Q×f值在x=0.01时就得到了大幅度提升。虽然Al3+取代会主动产生额外的氧空位,但是氧空位会与Al’Ti结合形成Al’Ti-OV··缺陷偶极子,在一定程度上降低氧空位的迁移率,从而降低样品的电导率和电导损耗。所以CNTA样品的Q×f值随着取代量的增加而一直升高。在所设计研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-x(Al0.5Nb0.5)xO3（x=0～0.12,CNTAN）样品中,x=0.12的样品出现B位1:1有序结构,这在一定程度上有利于样品Q×f值的提升。CNTAN样品中的Ti还原在x=0.04时可以被完全抑制。Al3+和(Al0.5Nb0.5)4+取代都会大幅度、持续地提升CNT陶瓷的Q×f值并在一定程度上改善其τf值。Ca0.61Nd0.26Ti0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3样品的微波介电性能为:εr=102.4,Q×f=15300 GHz,τf=+242.5 ppm/℃。基于该陶瓷样品优异的微波介电性能,我们设计并制备了(Ca0.61Nd0.26)1-x(Li0.5Nd0.5)xTi0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3（x=0～0.8,CLNTAN）陶瓷样品。当x=0.76时,CLNTAN样品的微波介电性能为:εr=129.2,Q×f=2210 GHz,τf=-1.4ppm/℃。拉曼光谱结果表明,CLNTAN样品的拉曼峰的半峰宽的不断增大,即拉曼振动阻尼增大,表明陶瓷样品内部损耗提升,所以样品Q×f值不断降低。（4）在高温下,熔融的LB助烧剂（Li2O-B2O3-Si O2和Ba O-Zn O-B2O3组合而成）形成的液相对BNTCN陶瓷有很好的浸润性,有效地降低了陶瓷的烧结激活能。所以,BNTCN的烧结温度从1390℃降低到了950℃。当LB助烧剂掺杂量为5 wt%时,BNTCN陶瓷在950oC下可烧结致密,并拥有极具竞争性的微波介电性能:εr=73.4,Q×f=5280 GHz,τf=+7.1 ppm/℃。此外,本文选择Ba O-Zn O-Li2O-B2O3-Si O2助烧剂成功地将Ca0.244Li0.3Nd0.404Ti0.96Al0.02Nb0.02O3陶瓷的烧结温度从1230℃降低到了950℃。掺杂4 wt%BZLBS助烧剂的陶瓷样品在950oC下烧结后的微波介电性能为:εr=104.7,Q×f=2560 GHz,τf=-2.1 ppm/℃。
王耿[5]（2020）在《钨青铜结构高介电常数微波介质陶瓷的性能调控》文中研究说明第五代（5G）移动通信系统的快速发展对介质谐振器、滤波器等微波器件提出了更高的性能要求。微波介质陶瓷作为制造微波器件的核心材料,一直以来都是研究的热点。相比于其他高介电常数（εr）微波介质陶瓷材料,钨青铜结构Ba6-3xM8+2xTi18O54（M=镧系元素）系陶瓷具有较好的综合介电性能,但相对较低的品质因数（Q×f）和偏大的谐振频率温度系数（TCF）限制了它在5G移动通信中的应用。本文首先系统研究了镧系元素对Ba4M28/3Ti18O54（M=La,Pr,Nd,Sm）陶瓷烧结特性、晶体结构、微观形貌、化学键参量、振动光谱以及微波介电性能的影响,深入分析了振动模式、化学键参量与微波介电性能的关系。在此基础上,以提升Ba4M28/3Ti18O54陶瓷系列的综合微波介电性能为目标,详细研究了A位置换改性Ba4Sm28/3Ti18O54、A/B位协同置换改性Ba4Pr28/3Ti18O54以及B位置换改性Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷。主要研究如下:通过固相法制备了单相正交钨青铜结构Ba4M28/3Ti18O54（M=La,Pr,Nd,Sm）陶瓷。晶体结构精修结果显示随着镧系元素离子半径的减小,晶胞参数和晶胞体积逐渐减小,Ba-O、M-O与Ti-O键的平均键长逐渐变短。基于复杂晶体化学键理论,计算了Ba-O、M-O与Ti-O键的化学键参量（离子性、晶格能及键能）,建立了微波介电性能与化学键参量之间的联系。研究发现Ba4M28/3Ti18O54陶瓷εr的减小与离子极化率、化学键的离子性以及晶胞体积的减小相关,Q×f值的增大与原子堆积密度、总晶格能增大以及Ag与B1g拉曼峰半高宽的减小密切相关,TCF值向负方向偏移则与容忍因子减小以及总键能增大有关。红外反射光谱分析表明在微波频段范围,Ba4M28/3Ti18O54陶瓷体系的主要介电极化贡献来源于红外频段的声子振荡吸收。随镧系元素离子半径的减小,位于低频的红外活性振动模式的振动强度减弱,对介电极化的贡献减小。在Ba4M28/3Ti18O54陶瓷基体的研究基础上,为解决Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷中所存在的Ti变价及TCF值偏大的问题,研究了A位少量Pr置换Sm对Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷的晶体结构、微观形貌、振动光谱及微波介电性能的影响,分析了氧化剂Pr6O11在抑制Ti4+还原中所起的作用。通过Pr置换能有效改善Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷的“黑心”现象,抑制Ti4+还原和氧空位生成,从而降低介电损耗。Pr4+具有较强的氧化性是抑制Ti4+还原和氧空位生成的关键。随Pr置换量的增大,εr增大,同时Q×f值提升,TCF向正方向偏移。当y=0.15时,Ba4(Sm1-yPry)28/3Ti18O54（0≤y≤0.25）在1375℃下烧结4h具有优良的微波介电性能:εr=80.5,Q×f=9700 GHz,TCF=-0.9 ppm/℃。为提升Ba4M28/3Ti18O54系陶瓷的综合微波介电性能,系统研究了A/B位协同置换对Ba4Pr28/3Ti18O54陶瓷晶体结构、微观形貌、振动光谱及微波介电性能的影响。通过Sm3+/Al3+协同置换,Ba4(Pr1-xSmx)28/3Ti18-yAl4y/3O54（0.4≤x≤0.7;0≤y≤1.5）陶瓷系列在较大的范围内（0.4≤x≤0.7）均能获得优异的微波介电性能:高εr（εr≥70）,高Q×f值（Q×f≥12,000 GHz）以及近零的TCF值（-10<TCF<+10 ppm/℃）,实现了εr及TCF的连续可调。针对Ba4(Pr0.5Sm0.5)28/3Ti18-yAl4y/3O54（x=0.5;0≤y≤1.5）陶瓷系列,通过XPS证实了Al3+置换能有效抑制Ti4+的还原,提升Q×f值,并结合拉曼光谱与红外反射光谱分析了B位离子有序度对微波介电性能的影响。当y=1.25时,Ba4(Pr0.5Sm0.5)28/3Ti18-yAl4y/3O54陶瓷在1375℃烧结4h具有优异的微波介电性能:εr=72.5,Q×f=13,900 GHz,TCF=+1.3 ppm/℃。为保持相对更高的εr,通过Sm3+/Ga3+协同置换成功制备了Ba4(Pr0.4Sm0.6)28/3Ti18-yGa4y/3O54（x=0.6;0≤y≤1）固溶体陶瓷。相比于纯Ba4Pr28/3Ti18O54陶瓷,协同置换后Q×f值提升了约90%,TCF值从+150 ppm/℃调节到了近零,且εr保持在一个相对较高的值。当y=0.75时,Ba4(Pr0.4Sm0.6)28/3Ti18-yGa4y/3O54陶瓷在1375℃下烧结4h具有最佳的综合介电性能:εr=78.5,Q×f=12,400 GHz,TCF=+2.1 ppm/℃。为进一步提升Ba4M28/3Ti18O54系陶瓷的综合微波介电性能,首先研究了B位不同类型离子置换(少量施主Nb5+、受主Ga3+及施受主(Ga1/2Nb1/2)4+置换)对Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷介电性能的影响。受主Ga3+置换能有效抑制Ti4+离子的还原,促进晶粒的生长,大幅提升了品质因数;施主Nb5+置换加剧了Ti4+离子的还原,抑制了晶粒的生长,严重恶化了品质因数;施受主(Ga1/2Nb1/2)4+协同置换也能在一定程度上抑制Ti4+离子的还原,提升品质因数,但晶粒尺寸并未发生明显变化。此外,各类型离子置换均能有效改善Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷的TCF。在此基础上,研究了不同置换量的Ga3+离子对Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷晶体结构、微观形貌及介电性能的影响。当y=1.5及y=2时,Ba4Nd28/3Ti18-yGa4y/3O54（0≤y≤2）陶瓷在1400℃下烧结4h具有优异的综合微波介电性能:y=1.5时,εr=72.8,Q×f=14,600 GHz,TCF=+4.1 ppm/℃;y=2时,εr=70.3,Q×f=15,500 GHz,TCF=+3.9 ppm/℃。总体来说,本文通过对Ba4M28/3Ti18O54陶瓷体系离子极化率、容忍因子的精细调控以及对Ti变价的抑制,成功制备了一系列εr在70-80可调、高Q×f值（最高达15,500GHz）以及近零TCF的微波介质陶瓷材料,可应用于高性能微波器件的制备。
彭昶[6]（2020）在《堇青石基微波介质陶瓷的制备及性能研究》文中研究表明随着微波通信逐步往高频化方向发展,保障器件在高频下的工作性能与集成化显得尤为重要。这对微波介质陶瓷提出了更高的要求,即更高的工作稳定性,更低的介电损耗。堇青石(Mg2Al4Si5O18)微波介质陶瓷成本低廉、微波介电性能优异,具有良好的应用前景。本文通过固相法制备Mg2Al4Si5O18陶瓷,研究了制备工艺、掺杂改性等对材料微观结构和微波介电性能的影响。采用控制变量法探究Mg2Al4Si5O18陶瓷的制备工艺。研究了预烧温度和烧结温度对陶瓷微观结构和微波性能的影响,以及其他工艺对陶瓷品质因数的影响。通过改善Mg2Al4Si5O18陶瓷的制备工艺,使微波介电性能获得一定的提升:Q×f=52314 GHz,εr=4.86,τf=-28 ppm/℃。研究了MgO含量对Al6Si2O13第二相的抑制作用。通过增加MgO的含量,有效抑制了Al6Si2O13第二相的生成,获得单相堇青石陶瓷。添加MgO还可以改善陶瓷的微观结构,提高粒的均匀性。通过消除Al6Si2O13第二相,显着提升了陶瓷的品质因数。在MgO过量0.2mol处获得了最佳的微波介电性能:εr=5.18,Q×f=86374GHz,τf=-27 ppm/℃。采用添加TiO2的方式,调节Mg2.2Al4Si5O18.2的谐振频率温度系数。实验结果表明,TiO2可以与Mg2.2Al4Si5O18.2形成固溶体,提高陶瓷的致密度,同时析出的金红石相能有效的调节Mg2.2Al4Si5O18.2陶瓷的频率温度系数。当TiO2含量为6 wt.%时,陶瓷兼具高品质因数和高温度稳定性,其微波介电性能为Q×f=68264 GHz,εr=5.56,τf=-9.95 ppm/℃。在TiO2含量为8 wt.%时,陶瓷具有近零的谐振频率温度系数τf=-3.62 ppm/℃,Q×f=56626 GHz,εr=5.84。研究了RO2（R=Ce,Mn,Zr,Sn）对Mg2Al4Si5O18陶瓷材料微观结构和微波介电性能的影响。研究表明,RO2（R=Ce,Mn,Zr,Sn）可以与Mg2Al4Si5O18形成固溶体,从而提高陶瓷的致密度。添加MnO2能促进陶瓷晶粒的生长,提高陶瓷的品质因数。添加ZrO2可以调节谐振频率温度系数。掺入CeO2会促使β-堇青石转化为α-堇青石,导致陶瓷品质因数下降。加入SnO2可以降低陶瓷的烧结温度,拓宽烧结区间,在60℃的范围内,Mg2Al4Si5O18-SnO2陶瓷品质因数的波动小于5000 GHz。
孙竹叶[7]（2020）在《高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究》文中提出为制备高介电常数综合性能优异的NPO陶瓷,本文采用氧化物固相反应法制备了（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.8Sr0.2）TiO3（BLT-CST）、（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Na0.5La0.5）TiO3（BLT-NLT）和（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.6La0.8/3）Ti03（BLT-CLT）三种体系的陶瓷材料,系统研究了三种体系陶瓷材料的相结构、微观形貌以及介电性能随组成的变化规律,并探讨了相结构和微观形貌对陶瓷介电性能的影响机理。主要内容如下:采用固相反应法制备xBLT-（1-x）CST（0.5 ≤x:≤0.9）介质陶瓷材料。研究该体系陶瓷的相结构随组成的变化规律,以及随之引起的陶瓷介电性能的变化。在所研究的组成范围内,陶瓷由两相构成,其中一相为偏离正常化学计量比的具有焦绿石结构的（Bi,La）2-yTi2O7-z,另一相是具有铋层状结构的 n（Ca0.8Sr0.2）TiO3·（Bi,La）4Ti3O12。xBLT-（1-x）CST陶瓷的介电常数温度特性与物相组成紧密相关。通过对xBLT-（1-x）NLT（0.4≤x≤0.75）陶瓷进行物相分析,在所研究的组成范围内,陶瓷中均检测到偏离化学计量比的焦绿石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.4≤x≤0.65范围内,存在钙钛矿相（Na0.5La0.5）Ti03,当x继续增加到0.75时,钙钛矿相消失。在所研究的组成范围内,陶瓷同时还在铋层状结构相（Nao.sLao.5）TiO3·（Bi0.9La0.1）4Ti3O12,xBLT-（1-x）NLT 陶瓷的高介电常数很可能与此相的存在有关。通过对xBLT-（1-x）CLT（0.3 ≤ x≤0.7）陶瓷进行物相分析,在所研究的组成范围内,陶瓷中均检测到偏离化学计量比的焦绿石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.3 ≤ x ≤ 0.4范围内,存在钙钛矿相（Ca0.6La0.8/3）TiO3,当x继续增加到0.5时,钙钛矿相消失。在xBLT-（1-x）CLT 陶瓷中还存在铋层状结构相 n（Ca0.6Lar0.8/3）Ti03·（Bi0.9La0.1）4Ti3012,在 0.3 ≤x≤0.6组成范围内,n=1,当x增大到0.7时,n=0.5。当x=0.5时,陶瓷介质材料满足NP0特性,其介电常数K～130,介电损耗tanδ～0.0015,介电常数温度系数TCK～-6.7ppm/℃。
王文文[8]（2020）在《Li-Mg-Nb系微波介质陶瓷改性研究》文中指出近年来,随着移动通信全球性的普及,作为微波通信系统中的关键性材料,微波介质陶瓷以谐振器、滤波器、微波振荡器、介质双工器以及微波天线等微波元器件的形式成为整个系统必不可少的关键材料。微波介质陶瓷材料对于当今5G以及未来6G的发展具有重要影响。然而,应用在通信系统中的微波介质材料一般应具有较高的介电常数（εr）,低的介质损耗（tanδ）（或高Q值）以及好的温度稳定性（谐振频率温度系数（τf）近零）。因此,研发出具有良好性能的微波介质陶瓷新体系是国家通信领域的重要关键技术之一。本文中所有陶瓷样品均采用传统固相反应法合成。以Li3Mg2NbO6微波介质陶瓷作为基体材料,利用低熔点玻璃掺杂、两相复合等手段,旨在获得具有低烧结温度、高Q×f值及近零τf值的微波介质陶瓷材料体系。利用X射线衍射（XRD）、能谱仪（EDS）、扫描电镜（SEM）和网络分析仪等仪器对陶瓷材料的物相结构和介电性能等进行分析,得出以下主要结论:1.为了降低Li3Mg2NbO6陶瓷材料的烧结温度,使其能够兼容低温共烧陶瓷（LTCC）技术,本文利用低熔点的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3（LBSCA）玻璃作为烧结助剂,以期达到降低烧结温度的目的。研究结果发现,添加适量的LBSCA玻璃能有效降低烧结温度至960℃以下,且无第二相产生。当LBSCA玻璃掺杂量为0.5 wt.%且烧结温度在925℃时,样品的微波介电性能较为优异:er=15.16,Q×f=90557 GHz,tf=-16.22 ppm/℃。2.为了得到高温度稳定性即tf值近零的微波介质陶瓷材料,采用传统固相合成工艺,制备出了两相共存的Li3Mg2NbO6-Ba3（VO4）2以及Li3Mg2NbO6-CaTiO3复合微波介质陶瓷材料。（1）对于Li3Mg2NbO6-xBa3（VO4）2（x=0.2-0.5）体系,当x值从0.2增加到0.5时,谐振频率温度系数从-3.16 ppm/℃增加到+11.8 ppm/℃;当x=0.3时,Li3Mg2NbO6-xBa3（VO4）2陶瓷材料在1025℃时烧结4 h的性能最优,其微波介电性能为:?r=15.36,Q×f=64830 GHz,tf=+1.55 ppm/℃。（2）对于Li3Mg2NbO6-xCaTiO3（x=0.04-0.1）,当x值从0.04增加到0.1时,谐振频率温度系数从-8.7 ppm/℃增加到+5.83 ppm/℃;当x=0.08时,Li3Mg2NbO6-xCaTiO3陶瓷材料在1125℃下烧结4 h的性能较为优异:?r=16.45,Q×f=131711 GHz,tf=-2.2 ppm/℃。3.在保证谐振频率温度系数近零的前提下,为了获得满足LTCC技术要求的低温烧结微波介质陶瓷材料,采用Li2O-MgO-B2O3（LMB）玻璃作为助烧剂对Li3Mg2NbO6-0.1CaTiO3陶瓷进行降烧。随着LMB玻璃含量的增加,tf值逐渐降低。当LMB玻璃添加量为2 wt.%时,该体系能够在925℃实现低温烧结,且具有较好的微波介电性能:er=13.54,Q×f=58120 GHz,tf=+1.2 ppm/℃。
黄鑫[9]（2020）在《Ti基中高介电常数陶瓷的制备与性能研究》文中研究说明随着通信技术的飞速发展,具有高效、微型、高稳定性的器件需求越来越大,电介质陶瓷材料作为电子元器件的关键材料,面临着严峻的考验。近些年来,我们国家在电子工业相关的家电、汽车、通信、军事等领域极速发展,这些领域对电介质材料的需求也日益剧增。并且,随着5G通信的普及以及对6G通信的展望对电介质陶瓷材料提出了更高的要求。CaCu3Ti4O12（CCTO）具有超高介电常数,优良的温度稳定性,在频率102-105Hz范围内介电常数保持恒定的介电特性,因此本工作首先研究了巨介电常数的CCTO电介质陶瓷。CCTO电介质陶瓷在射频范围内只能用于1MHz频率以内,随频率增加介电常数开始快速衰减。然而,目前的通信信道有向着高频率发展的趋势,引导着我们也研究了NiTiNb2O8微波电介质陶瓷,NiTiNb2O8陶瓷在高频具有较高的介电常数,两者可以互补特长实现射频段高介电材料应用的覆盖。本论文基于CCTO陶瓷和NiTiNb2O8陶瓷为研究对象。具体工作如下:（1）探讨不同离子位置掺杂对CCTO陶瓷性能的影响,通过测试CCTO禁带宽度探索了晶界处的肖特基势垒对CCTO陶瓷性能的影响。通过La3+离子掺杂取代CCTO晶格A位的Ca2+离子和Cu2+离子,研究发现La3+离子掺杂在A1位替代Ca2+离子要比A2位替代Cu2+离子的烧结温度低,拥有高的介电常数和较低的介电损耗。通过Sr2+离子对CCTO陶瓷的掺杂,探索了CCTO陶瓷晶粒半导体特性与晶粒大小对CCTO陶瓷的性能影响。Sr2+离子掺杂导致CCTO陶瓷的禁带宽度增加,通过晶界处的肖特基势垒模型分析,随Sr2+离子掺杂含量的增加,CCTO陶瓷的介电常数相应减小,晶界阻抗也会增加。与纯的CCTO对比,Sr2+离子掺杂导致CCTO陶瓷的介电常数增加,晶界阻抗减小。SEM分析可以解释为,晶界处形成的肖特基势垒是CCTO形成超高介电常数的重要原因,同时La3+、Sr2+离子掺杂的CCTO陶瓷中,晶粒大小的变化将严重影响CCTO陶瓷的介电性能。（2）探索了F-离子掺杂形成氧缺陷对CCTO性能的影响,降低CCTO陶瓷的介电损耗。F-离子掺杂后的CCTO陶瓷晶粒尺寸相对减小,晶界阻抗增加,CCTO陶瓷的介电损耗降低。通过电模量的建模分析,计算出CCTO陶瓷介电驰豫的活化能,该活化能高低与晶界处的势垒高度相关,F-离子的掺杂增加了CCTO陶瓷晶界处的势垒高度,导致晶界阻抗增加,说明CCTO晶界是一类热活化的驰豫过程。优化F-掺杂量为x=0.8时,CCTO陶瓷的介电损耗在5KHz时降低为0.05。（3）掺杂优化NiTiNb2O8陶瓷的介电性能,降低烧结温度。首先,通过Zn2+离子取代NiTiNb2O8中的Ni2+离子合成了Ni1-xZnxTiNb2O8陶瓷,随Zn2+离子取代含量的增加,Ni1-xZnxTiNb2O8介电常数会逐渐降低,品质因数Q×f值有所升高,谐振频率温度系数逐渐降低。其次,采用B2O3-ZnO（BZ）玻璃对Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷进行了低温烧结助熔研究,添加3 wt%的BZ玻璃,Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷在950℃烧结时能获得较好的介电性能:εr=34.3,Q×f=20255GHz,τf=-4.14ppm/℃。BZ玻璃助烧的Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷可以很好的应用于LTCC技术。再者,针对前面研究体系中具有最高品质因数的Ni0.4Zn0.6TiNb2O8陶瓷（εr=51.23,Q×f=32114GHz,τf=38.1 ppm/℃）进行再优化,采用Zr4+对Ti4+离子进行掺杂取代。随着Zr4+离子掺杂含量的增加,NiTiNb2O8晶相减少而ZnTiNb2O8晶相增加,相对密度增加。最终,通过调控掺杂我们制备出具有优秀的温度稳定性的Ni0.4Zn0.6Ti0.9Zr0.1Nb2O8陶瓷（εr=35.3,Q×f=45733GHz,τf=3ppm/℃）,以及具有较高品质因数的Ni0.4Zn0.6Ti0.7Zr0.3Nb2O8陶瓷（εr=29.7,Q×f=92078GHz,τf=-38ppm/℃）。（4）研究NbO6八面体中的离子极化对NiTiNb2O8陶瓷介电性能的影响。本工作采用Ta5+离子掺杂取代NiTiNb2O8陶瓷的Nb5+离子。当Ta5+离子的替代量增加时,NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷中四个较长的Nb-O键的长度逐渐减小,两个较短的Nb-O键的长度逐渐增加。根据Clausius-Mostti公式,氧八面体中较长的键决定了陶瓷的极化强度,随着Nb-O键长度的变化,氧八面体中的极化也受到限制而变弱,介电常数减小。同时,Ta5+离子掺杂后导致NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷Nb-O键的键能增加,因此NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的品质因数增加。通过计算Nb-O键的扭曲度发现,Ta5+离子的掺杂导致NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的Nb-O键的扭曲度减小,NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的谐振频率温度系数减小。优化掺杂和烧结温度,发现NiTiNb1.6Ta0.4O8陶瓷在1140℃烧结时能获得较好的介电性能:εr=48.5,Q×f=17500GHz,τf=88.6 ppm/℃。（5）探索NiTiNb2O8陶瓷低温烧结,满足LTCC技术中烧结温度低于960℃的要求。使用BiVO4陶瓷作为助熔剂来分析NiTiNb2O8陶瓷低温烧结对性能的影响。采用固相法合成了NiTiNb2O8+xwt%BiVO4（2.5<x<10）陶瓷。BiVO4陶瓷的添加有效的降低NiTiNb2O8陶瓷的烧结温度,明显促进了NiTiNb2O8陶瓷的烧结进程。同时介电常数和品质因数得到了提高,NiTiNb2O8陶瓷谐振频率温度系数得到降低。经大量实验与配方优化,最终实现Ni0.5Ti0.5NbO4+10wt%BiVO4在900℃烧结时的微波介电性能为:εr=56.7,Q×f=7062GHz,τf=+55.59ppm/℃,可以应用于LTCC工艺制备相关生瓷料带。
方梓烜[10]（2019）在《高介Ti基与低介Li基微波陶瓷的制备及性能机理研究》文中研究表明随着5G时代的到来,微波集成电路有追求极高频和宽频的趋势,在微波陶瓷器件领域有小型化、高稳定性、超低损耗等要求。新型高品质微波介质陶瓷材料的研究将主要围绕以下两大方向展开:（1）探索介电常数（εr）大于100.0的新材料体系;（2）追求超高Q值的极限新材料体系（Q×f≥100000 GHz）。我们以钙钛矿结构的Na1/2Sm1/2TiO3（NST）基（εr>100.0）陶瓷和Ca0.35Nd0.35Li0.25TiO3（CLNT）基（εr>130.0）陶瓷为高介电常数陶瓷研究对象,以岩盐结构的Li2Mg3BO6（B=Ti,Sn）基低介超高Q值陶瓷（εr≤20且Q×f≥100000 GHz）为研究对象,实现了对其微观结构及介电性能的有效调控,获得了系统的陶瓷微结构与介电性能的调控机理,制备了系列化的高介常数（εr>100.0）陶瓷和超高Q值（εr≤20.0,Q×f≥100000 GHz,τf0 ppm/℃）的微波介质陶瓷,本论文的主要研究结果如下:（1）NST晶体结构模型被确定为正交钙钛矿结构（Pnma空间群）,NST的晶体结构具有一定量的A位空位和氧空位。为了抑制Ti还原或自由电子所引起的本征损耗,我们首先采用一次性合成工艺向陶瓷中引入受主Cr3+抑制自由电子,有效地抑制了Ti3+的产生。为了改善空位声子散射引起的本征损耗,我们向NST陶瓷中外掺CeO2,适量的Ce4+进A位将填充空位或取代(Na1/2Sm1/2)2+抑制氧空位,从而降低相应本征损耗;但过量的Ce4+会进入B位恶化介电性能。τf值高度依赖于B位阳离子键价,Cr3+和Ce4+的引入有助于增强B位阳离子键价,其τf可以被一定程度上改善。为了有效调控NST陶瓷的εr和τf值,我们分别利用Nd/Sn和Nd/Zr对NST陶瓷进行A/B位离子协同取代。我们先引入离子极化率较大的Nd3+对NST陶瓷进行A位离子取代,其εr可以从100.0提升至110.0。在此基础上,分别采用Sn和Zr来取代NST陶瓷的Ti离子,在固溶体范围内,随着t（t<0.9596）的降低,τf高度依赖于晶体结构的容忍因子,τf可从206.0 ppm/℃调节至0 ppm/℃附近,但超过固溶体范围时,Nd2Ti2O7相的出现会严重恶化综合微波性能。在上述研究中,Na0.5Nd0.2Sm0.3Ti0.98Zr0.02O3具有优异的微波介电性能:εr=107.0,Q×f=9600 GHz和τf=190.2 ppm/℃。（2）为了制备更高介电常数陶瓷,我们对CLNT（εr>130）钙钛矿陶瓷展开研究。我们先采用Al3+对Ca0.35Nd0.35Li0.25Ti1-x-x AlxO3（CLNTAx）进行B位取代提升了Q值,在实验中将粉料直接干压成型,简化了陶瓷需要等静压的制备工艺。CLNTAx的结构模型被确立为正交钙钛矿结构（Pnma空间群）。CLNTAx陶瓷的介电本征损耗因原子堆积密度的改善而被降低。但Al含量的增加会导致B位阳离子键价下降,晶体的αobs与αtheo均降低且Δα=αobs-αtheo逐步增大;较小的B位键价表明氧和B位离子之间的键强较弱,从而导致B位的声子散射效应增强,所以εr和τf均被恶化。特别地,Ca0.35Nd0.35Li0.25Ti0.97Al0.03O3（CLNTA3）陶瓷具有良好的综合性能:εr=128.0,Q×f=4329 GHz,τf=74.8 ppm/℃。为了有效调控CLNT陶瓷的τf值,我们分别通过(Zn1/3Ta2/3)4+和(Mg1/3Ta2/3)4+复合离子对CLNT陶瓷进行B位取代研究。Raman光谱分析表明Ag模式对短程有序（SRO）效应非常敏感,因为Zn2+与Ta5+的不同电荷和离子半径为形成SRO结构提供了驱动力,所以Ag模式的强度逐渐增大,SRO效应变强。[TiO6]八面体的倾斜度增大和第二相的出现极大地影响着τf的变化,τf可被有效地从67.9 ppm/℃调控至10.3 ppm/℃。在对CLNT（MT）x的研究中,其主要结论与(Zn1/3Ta2/3)4+相似。与其不同的是,（1 2 1）衍射峰的卫星峰（2 0 0）和（0 0 2）的峰强逐渐增强说明(Mg1/3Ta2/3)4+组分有助于{1 0 0}或{0 0 1}晶面族的生长。当x=0.08时,具有较低温度系数的CLNT（MT）0.08陶瓷的微波介电性能为εr=121.5,Q×f=3865 GHz,τf=+22.1 ppm/℃。为了制备一种高介电常数低温共烧陶瓷（LTCC）材料,我们研究了BaCu（B2O5）降烧助剂对CLNTA3的低温共烧机理。CLNTA3+5 wt.%BCB2陶瓷在950℃具有优异的微波介电性能:εr=110.0,Q×f=2979GHz和τf=41.2 ppm/℃,而且该瓷料满足LTCC的技术要求。（3）为了获得超高Q值陶瓷,我们以Li2Mg3BO6（B=Ti,Sn）陶瓷为基础系统地展开致密烧结、物相衍变、晶体结构和介电性能的调控机理研究。我们开发了保护气氛的控制烧结法,有效地抑制了由锂元素的挥发形成的气孔或由相变导致材料有大量的微裂纹或断裂纹,实现了Li2Mg3SnO6陶瓷在富锂保护气氛下的致密烧结。在物相衍变研究中,我们发现Li2SnO3将与MgO发生固溶反应生并成立方岩盐结构的Li2Mg3SnO6相,但在高温空气中,Li2Mg3SnO6会分解为Mg2SnO4,MgO和Li2O;而且分解产物MgO将继续与Li2Mg3SnO6相反应生成类Li2Mg3SnO6面心立方相。基于前期的物相衍变分析,我们推导出Li2SnO3-MgO系列化固溶体的化学通式为Li2/3（1-x）Sn1/3（1-x）MgxO和Li2MgySnO3+y（x=04/7,y=04,x=y/（3+y））。我们将保护气氛控制烧结法推广至Li2/3（1-x）Sn1/3（1-x）MgxO（x=04/7）陶瓷,SEM表明所有样品的晶粒完整饱满,晶界清晰,样品的微观形貌平滑致密,保护气氛控制烧结被证明适用于LSMxO系列化陶瓷的致密烧结。由TEM分析可知,Li2Mg3SnO6（x=1/2）具有特殊的短程有序超晶格结构,该结构使其具有超低本征损耗（超Q值）。LSMxO系列化陶瓷的微波性能连续可调,包括温度稳定型Li2SnO3/Li2Mg3SnO6复相陶瓷（x=1/7）的性能为εr=15.4,Q×f=80902 GHz和τf=+5.6 ppm/℃,极高Q×f值的Li2Mg3SnO6（x=1/2）单相陶瓷的性能为εr=12.7,Q×f=168330 GHz和τf=-27.4 ppm/℃。（4）对于Li2Mg3TiO6基陶瓷,我们先对Li2Mg3-x-x CaxTiO6（x=00.18,LMCxT）陶瓷进行物相衍变和微波介电性能的调控机理研究。MgO将与Li2TiO3发生固溶反应,并生成具有岩盐结构的Li2Mg3TiO6相（Fm-3m空间群）。Ca原子因其半径太大无法溶入Li2Mg3TiO6中而形成CaTiO3相,CaTiO3与Li2Mg3TiO6共存形成稳定的复相陶瓷。因此,我们通过一次性合成工艺制备了温度稳定型复相陶瓷Li2Mg0.28Ca0.12TiO6（Li2Mg3TiO6/CaTiO3）,其性能为εr=17.8,Q×f=102246 GHz和τf=-0.7 ppm/℃。我们也发现在Li2Mg3-xTiO6中,Mg低于正常化学计量比3时,所有样品仍为类Li2Mg3TiO6相,所以后续深入展开了Li2Mg3-x-x TiO6陶瓷的物相衍变研究。我们推导出Li2TiO3-MgO系列化陶瓷的化学通式为Li2/3（1-x）Ti1/3（1-x）MgxO和Li2MgyTiO3+y（x=04/7,y=04,x=y/（3+y））,并继续采用气氛烧结法制备了高度致密的Li2/3（1-x）Ti1/3（1-x）MgxO（x=04/7,LTMxO）陶瓷,保护气氛控制烧结法被再次证明适用于其它易挥发体系。在0≤x≤4/7范围内,TEM分析证明Li2Mg3TiO6（x=1/2）具有短程有序超晶格结构,该结构使Li2Mg3TiO6（x=1/2）陶瓷具有高Q值。特别地,固溶体Li2Mg0.5TiO3.5（x=1/7）的性能为εr=21.5,Q×f=82495 GHz和τf=-5.3 ppm/℃,Li2Mg3TiO6陶瓷拥有极高的品质因数Q×f=148713 GHz。
二、高介电常数微波介质陶瓷（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、高介电常数微波介质陶瓷（论文提纲范文）
（1）离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.2.1 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.2 中介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.3 高介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.3 微波介质陶瓷的性能参数 |
| 1.3.1 介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 锶长石系微波介质陶瓷 |
| 1.4.1 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的晶体结构 |
| 1.4.2 SrAl_2Si_2O_8的研究现状 |
| 1.5 研究目的和研究内容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 材料的制备与性能表征 |
| 2.1 陶瓷试样的制备方法 |
| 2.1.1 传统固相法 |
| 2.1.2 熔盐法 |
| 2.1.3 溶胶-凝胶法 |
| 2.1.4 水热法 |
| 2.1.5 共沉淀法 |
| 2.2 陶瓷的成型方法 |
| 2.2.1 干压成型 |
| 2.2.2 等静压成型 |
| 2.2.3 注浆成型 |
| 2.2.4 流延成型 |
| 2.3 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的制备工艺流程 |
| 2.3.1 配料 |
| 2.3.2 一次球磨 |
| 2.3.3 预烧 |
| 2.3.4 二次球磨 |
| 2.3.5 造粒 |
| 2.3.6 压片 |
| 2.3.7 排粘和烧结 |
| 2.4 陶瓷的表征方法 |
| 2.4.1 密度 |
| 2.4.2 晶体结构 |
| 2.4.3 微观形貌 |
| 2.4.4 微波介电性能测试 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 烧结温度对SrAl_2Si_2O_8陶瓷结构及微波介电性能的影响 |
| 3.1 实验设计 |
| 3.2 预烧温度 |
| 3.3 烧结特性 |
| 3.4 XRD物相分析 |
| 3.5 显微形貌分析 |
| 3.6 微波介电性能分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 Sr位离子取代对SrAl_2Si_2O_8陶瓷的结构和微波介电性能研究 |
| 4.1 实验设计 |
| 4.2 Mn~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.2.1 Mn~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.2.2 Mn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.2.3 Mn~(2+)取代显微形貌分析 |
| 4.2.4 Mn~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.3 Zn~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.3.1 Zn~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.3.2 Zn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.3.3 Zn~(2+)取代显微形貌分析 |
| 4.3.4 Zn~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.4 Ni~(2+)取代Sr~(2+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的影响 |
| 4.4.1 Ni~(2+)取代烧结特性分析 |
| 4.4.2 Ni~(2+)取代XRD分析 |
| 4.4.3 Ni~(2+)取代显微结构分析 |
| 4.4.4 Ni~(2+)取代微波介电性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 Al位离子取代对SrAl_2Si_2O_8陶瓷的结构和微波介电性能研究 |
| 5.1 实验设计 |
| 5.2 Co~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.2.1 Co~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.2.2 Co~(3+)取代XRD分析 |
| 5.2.3 Co~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.2.4 Co~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.3 Fe~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.3.1 Fe~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.3.2 Fe~(3+)取代XRD分析 |
| 5.3.3 Fe~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.3.4 Fe~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.4 Cr~(3+)取代Al~(3+)对SAS陶瓷结构和微波介电性能的研究 |
| 5.4.1 Cr~(3+)取代烧结特性分析 |
| 5.4.2 Cr~(3+)取代XRD分析 |
| 5.4.3 Cr~(3+)取代显微结构分析 |
| 5.4.4 Cr~(3+)取代微波介电性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（2）低介电微波介质陶瓷的制备及其性能优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的发展概况 |
| 1.3 微波介质陶瓷的分类及研究现状 |
| 1.3.1 低介电常数微波介质材料 |
| 1.3.2 中介电常数微波介质材料 |
| 1.3.3 高介电常数的微波介质材料 |
| 1.4 微波介质陶瓷的性能参数 |
| 1.4.1 相对介电常数 |
| 1.4.2 品质因数 |
| 1.4.3 谐振频率温度系数 |
| 1.5 低介微波介质陶瓷存在的问题及改性方案 |
| 1.6 立题依据及研究内容 |
| 第2章 材料的制备、表征及性能分析 |
| 2.1 实验原料及相关仪器 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验设备及测试仪器 |
| 2.2 制备工艺 |
| 2.2.1 粉体制备方法 |
| 2.2.2 陶瓷的成型技术 |
| 2.2.3 陶瓷的烧结方法 |
| 2.3 材料结构的表征和性能测试 |
| 2.3.1 微波介电性能测试 |
| 2.3.2 密度测试 |
| 2.3.3 XRD图谱分析 |
| 2.3.4 SEM图像及EDS分析 |
| 第3章 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)陶瓷的制备、表征及微波介电性能研究 |
| 3.1 研究背景及原因 |
| 3.2 样品制备 |
| 3.3 实验结果及讨论 |
| 3.3.1 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的物相分析 |
| 3.3.2 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的微观形貌分析 |
| 3.3.3 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 3.3.4 反应烧结制备的Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的结构及微波介电性能分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)陶瓷的制备、表征及微波介电性能研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 样品制备 |
| 4.3 实验结果及讨论 |
| 4.3.1 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的物相分析 |
| 4.3.2 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的微观结构分析 |
| 4.3.3 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的制备、表征及微波介电性能的研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 样品制备 |
| 5.3 实验结果及讨论 |
| 5.3.1 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%m(m=ZnO、LiF的一种或几种)陶瓷的物相及微观形貌分析 |
| 5.3.2 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%m(m=ZnO、LiF的一种或几种)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.3.3 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的物相分析 |
| 5.3.4 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、LiF)陶瓷的微观形貌分析 |
| 5.3.5 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的制备及其微波介电性能 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 样品制备 |
| 6.3 实验结果及讨论 |
| 6.3.1 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的物相分析 |
| 6.3.2 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的微观形貌分析 |
| 6.3.3 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的微波介电性能分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（3）低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波介质陶瓷材料分类及研究现状 |
| 1.2.1 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.2 中介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.3 高介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.3 微波介质材料在电路中的应用 |
| 1.4 LTCC技术及微波介质陶瓷低温共烧 |
| 1.5 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷结构与性能关系研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CuO取代ZnZrNb_2O_8样品制备及表征 |
| 2.3 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷微结构分析 |
| 2.4 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷化学键理论计算 |
| 2.5 CuO取代ZnZrNb_2O_8性能研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 低温烧结ZnZrNb_2O_8陶瓷结构及微波介电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷制备及表征 |
| 3.3 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷微结构研究 |
| 3.4 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷微波介电性能研究 |
| 3.5 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷与银共烧研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 A/B位离子调控Li_3Mg_2NbO_6陶瓷结构及介电性能研究 |
| 4.1 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷结构及介电性能研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷制备与表征 |
| 4.1.3 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.1.4 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.2 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷制备及表征 |
| 4.2.3 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.2.4 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.3 Ta~(5+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能研究 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷制备及表征 |
| 4.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.3.4 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 低温烧结Li_3Mg_2NbO_6陶瓷结构与微波介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备及表征 |
| 5.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷低温烧结 |
| 5.3.1 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷结构分析 |
| 5.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 5.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷与银共烧研究 |
| 5.4 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷低温烧结研究 |
| 5.4.1 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷结构分析 |
| 5.4.2 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷微波介电性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 基于Li_3Mg_2Nb O_6材料的5G通信用带通滤波器研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 LTCC工艺研究 |
| 6.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器设计与实现 |
| 6.3.1 交指型滤波器基础理论 |
| 6.3.2 带通滤波器指标 |
| 6.3.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器设计 |
| 6.3.4 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器制作及测试 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 主要结论及创新点 |
| 7.2 有待深入研究的问题 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（4）Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的研究历史与应用前景 |
| 1.2.1 研究历史 |
| 1.2.2 应用前景 |
| 1.3 微波介电性能参数 |
| 1.3.1 相对介电常数 |
| 1.3.2 品质因数 |
| 1.3.3 谐振频率温度系数 |
| 1.4 微波介质陶瓷主要体系 |
| 1.4.1 低介微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 中高介微波介质陶瓷 |
| 1.4.3 高介微波介质陶瓷 |
| 1.5 低温和超低温共烧陶瓷 |
| 1.6 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 陶瓷样品的制备和分析测试方法 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.2 陶瓷样品的性能测试 |
| 2.3 陶瓷样品的宏观与微观特性表征 |
| 第三章 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量离子取代对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的微波介电性能影响 |
| 3.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷设计与样品制备 |
| 3.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微结构与微观形貌 |
| 3.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 3.3 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的B位取代机制研究 |
| 3.3.1 Ba3_(.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.3.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的结构与微观形貌分析 |
| 3.3.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的微波介电性能 |
| 3.4 Sm~(3+)对Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷的A位取代机制研究 |
| 3.4.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的制备 |
| 3.4.2 Ba_(3.75)Nd_(9.s-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的结构和微观形貌 |
| 3.4.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷样品的微波介电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3高介微波陶瓷的改性机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析及其P-V-L理论 |
| 4.2.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振动光谱分析 |
| 4.2.2 基于Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的复杂化学键理论 |
| 4.3 微量添加剂对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的微波介电性能影响 |
| 4.3.1 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的制备 |
| 4.3.2 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的相成分与微观形貌分析 |
| 4.3.3 掺杂的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.4 Cr~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.4.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.4.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.5 (Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.5.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.5.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.5.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品结构和微波介电性能分析 |
| 4.6 Al~(3+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.6.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO3陶瓷样品的制备 |
| 4.6.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.6.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.7 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)对Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代机制研究 |
| 4.7.1 Ca_(0.6)1Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al0.5Nb0.5)_xO_3陶瓷样品的制备 |
| 4.7.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.7.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.8 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的A、B位离子协同取代机制研究 |
| 4.8.1 CLNTAN陶瓷样品的制备 |
| 4.8.2 CLNTAN陶瓷样品的结构和微观形貌分析 |
| 4.8.3 CLNTAN陶瓷样品的微波介电性能分析 |
| 4.9 本章小结 |
| 第五章 高介LTCC陶瓷材料的制备和低温烧结及介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基LTCC材料的研究与制备 |
| 5.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷的微结构分析 |
| 5.2.4 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基LTCC材料的研究和制备 |
| 5.3.1 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的制备 |
| 5.3.2 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基陶瓷的低温烧结特性研究 |
| 5.3.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷的微结构 |
| 5.3.4 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低温烧结陶瓷介电性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 论文总结和展望 |
| 6.1 论文主要结论 |
| 6.2 论文创新点 |
| 6.3 后续研究工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）钨青铜结构高介电常数微波介质陶瓷的性能调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波介质陶瓷的介电性能及影响因素 |
| 1.3 微波介质陶瓷材料的分类及研究进展 |
| 1.4 钨青铜结构Ba_(6-3x)M_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介质陶瓷研究进展 |
| 1.5 课题的提出与研究内容 |
| 2 制备工艺及测试方法 |
| 2.1 实验原料及实验设备 |
| 2.2 样品制备流程 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 Ba_4M_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷的晶体结构、振动光谱及介电性能研究 |
| 3.1 Ba_4M_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷研究背景 |
| 3.2 样品的制备与测试 |
| 3.3 烧结特性分析 |
| 3.4 晶相与微观形貌分析 |
| 3.5 振动光谱及微波介电性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 A位置换改性Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷 |
| 4.1 Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 4.2 样品的制备与测试 |
| 4.3 晶相与微观形貌分析 |
| 4.4 振动光谱及微波介电性能分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 A/B位协同置换改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷 |
| 5.1 Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 5.2 A位Sm~(3+)置换改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.3 A/B位Sm~(3+)/Al~(3+)协同置换改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.4 A/B位Sm~(3+)/Ga~(3+)协同置换改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 B位置换改性Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷 |
| 6.1 Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 6.2 不同类型离子置换对Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷介电性能的影响 |
| 6.3 受主Ga~(3+)置换改性Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间的主要研究成果 |
（6）堇青石基微波介质陶瓷的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 国内外微波介质陶瓷的发展历程 |
| 1.3 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.4 低介电微波介质陶瓷 |
| 1.4.1 低介电常数硅酸盐微波介质陶瓷 |
| 1.4.2 其他低介电微波介质陶瓷 |
| 1.5 微波介质陶瓷的性能及参数 |
| 1.5.1 介电常数 |
| 1.5.2 品质因数 |
| 1.5.3 谐振频率温度系数 |
| 1.6 堇青石微波介质陶瓷 |
| 1.7 选题的意义和主要研究内容 |
| 第二章 实验过程和性能测试 |
| 2.1 实验思路 |
| 2.2 实验原料与仪器 |
| 2.3 实验工艺工程 |
| 2.4 微波性能测试 |
| 2.5 结构与非电学性能测试 |
| 2.5.1 密度测试 |
| 2.5.2 XRD物相分析 |
| 2.5.3 微观形貌分析 |
| 第三章 堇青石陶瓷工艺研究 |
| 3.1 预烧温度和烧结温度对堇青石陶瓷的影响 |
| 3.1.1 实验过程 |
| 3.1.2 预烧温度和烧结温度对陶瓷结构的影响 |
| 3.1.3 预烧温度和烧结温度对陶瓷微波介电性能的影响 |
| 3.2 其他工艺对陶瓷性能与结构的影响 |
| 3.2.1 实验过程 |
| 3.2.2 其他工艺对陶瓷性能的影响 |
| 3.3 本章小节 |
| 第四章 MgO含量对Mg_2Al_4Si_5O_(18)陶瓷性能的影响 |
| 4.1 实验过程 |
| 4.2 Mg~(2+x)Al_4Si_5O_(18+x)陶瓷的结构 |
| 4.3 Mg~(2+x)Al_4Si_5O_(18+x)陶瓷的微波介电性能 |
| 4.4 本章小节 |
| 第五章 氧化物对Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)陶瓷微波介电性能的影响 |
| 5.1 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷微波介电性能研究 |
| 5.1.1 实验过程 |
| 5.1.2 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷的结构 |
| 5.1.3 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷的微波性能 |
| 5.1.4 本章小节 |
| 5.2 其它金属氧化掺杂对Mg_2Al_4Si_5O_(18) 陶瓷介电常数的影响 |
| 5.2.1 实验过程 |
| 5.2.2 Mg_2Al_4Si_5O_(18)-RO2 陶瓷的结构 |
| 5.2.3 Mg_2Al_4Si_5O_(18)-RO2 陶瓷的微波介电性能 |
| 5.3 本章小节 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 后续工作与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间取得的成果 |
（7）高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质材料的介电性能 |
| 1.2.1 介电常数 |
| 1.2.2 介电损耗 |
| 1.2.3 介电常数温度系数 |
| 1.2.4 介电混合法则 |
| 1.3 NPO陶瓷电容器及NPO陶瓷介质材料 |
| 1.3.1 陶瓷电容器 |
| 1.3.2 MLCC陶瓷电容器 |
| 1.3.3 NPO陶瓷电容器 |
| 1.3.4 高介电常数NPO陶瓷制备方法 |
| 1.3.5 高介电常数NPO陶瓷的研究现状 |
| 1.4 选题依据与研究内容 |
| 2 材料制备及分析测试方法 |
| 2.1 材料制备 |
| 2.1.1 实验原料与设备 |
| 2.1.2 材料制备工艺流程 |
| 2.2 性能表征 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 扫描电镜分析(SEM) |
| 2.2.3 介电性能测试 |
| 3 Li_(0.5)Ln_(0.5)TiO_3基陶瓷的结构及介电性能 |
| 3.1 样品的制备 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Ca_(0.8)Sr_(0.2))TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 4.1 样品的制备 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 物相分析 |
| 4.2.2 介电性能分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Na_(0.5)La_(0.5))TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 5.1 样品的制备 |
| 5.2 实验结果与讨论 |
| 5.2.1 物相分析 |
| 5.2.2 微观形貌分析 |
| 5.2.3 介电性能分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3陶瓷的结构及介电性能 |
| 6.1 样品的制备 |
| 6.2 实验结果与讨论 |
| 6.2.1 物相分析 |
| 6.2.2 微观形貌分析 |
| 6.2.3 介电性能分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（8）Li-Mg-Nb系微波介质陶瓷改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷材料发展历史、研究现状及发展趋势 |
| 1.2.1 微波介质陶瓷材料发展历史 |
| 1.2.2 微波介质陶瓷国内外研究现状 |
| 1.2.3 微波介质陶瓷的研究发展趋势 |
| 1.3 微波介质陶瓷材料主要体系 |
| 1.4 微波介质陶瓷材料的主要性能参数 |
| 1.4.1 介电常数 |
| 1.4.2 品质因数 |
| 1.4.3 谐振频率温度系数 |
| 1.5 Li_3Mg_2NbO_6系陶瓷研究现状 |
| 1.6 选题意义和主要研究内容 |
| 1.6.1 选题意义 |
| 1.6.2 主要研究内容 |
| 第二章 微波介质陶瓷制备与表征 |
| 2.1 微波介质陶瓷的制备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.1.3 工艺流程 |
| 2.2 微波介质陶瓷材料的烧结特性与微观结构表征 |
| 2.2.1 样品的致密度 |
| 2.2.2 样品的XRD测试 |
| 2.2.3 样品的SEM和EDS测试 |
| 2.3 微波介质陶瓷材料的介电性能测试 |
| 第三章 Li_3Mg_2NbO_6系微波介质陶瓷的低温烧结研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)wt.%LBSCA陶瓷微观结构表征与分析 |
| 3.3.1 烧结特性 |
| 3.3.2 物相分析 |
| 3.3.3 晶体结构 |
| 3.3.4 微观形貌 |
| 3.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)wt.%LBSCA陶瓷介电性能表征与分析 |
| 3.4.1 介电常数 |
| 3.4.2 介质损耗 |
| 3.4.3 谐振频率温度系数 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 Li_3Mg_2NbO_6系复合微波介质陶瓷的制备与性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 陶瓷微观结构与介电性能表征与分析 |
| 4.2.1 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 陶瓷的制备 |
| 4.2.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 物相分析 |
| 4.2.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 微观形貌分析 |
| 4.2.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 微波介电性能分析 |
| 4.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3陶瓷微观结构与介电性能表征与分析 |
| 4.3.1 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3陶瓷的制备 |
| 4.3.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3物相分析 |
| 4.3.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3微观形貌分析 |
| 4.3.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3微波介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Li_3Mg_2NbO_6-0.1CaTiO_3微波介质陶瓷低温烧结研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 Li_3Mg_2NbO_6-0.1CaTiO_(3-x) wt.%LMB陶瓷微观结构与介电性能分析 |
| 5.3.1 物相分析 |
| 5.3.2 陶瓷SEM和EDS研究 |
| 5.3.3 微波介电性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（9）Ti基中高介电常数陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及选题意义 |
| 1.2 射频域超高介电常数电介质材料研究现状 |
| 1.2.1 钛酸钡陶瓷 |
| 1.2.2 铌镁酸铅陶瓷 |
| 1.2.3 钛酸铜钙陶瓷 |
| 1.3 超低损耗电介质陶瓷研究现状 |
| 1.3.1 低介电常数微波电介质陶瓷 |
| 1.3.2 中介电常数微波电介质陶瓷 |
| 1.3.3 高介电常数微波电介质陶瓷 |
| 1.3.4 铌酸盐中介电常数微波电介质陶瓷 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 离子掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12) 介电性能的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 不同位置La~(3+)掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料介电性能的影响 |
| 2.2.1 La~(3+)掺杂CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制备与表征 |
| 2.2.2 La~(3+)掺杂CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷测试结果与分析 |
| 2.3 Sr~(2+)掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12) 晶粒半导体性能及微观结构的影响 |
| 2.3.1 Sr~(2+)掺杂CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制备与表征 |
| 2.3.2 Sr~(2+)掺杂CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷测试结果与分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 氧缺陷对CaCu_3Ti_4O_(12) 晶粒半导体性能及微观结构的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 F~-离子取代CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制备与表征 |
| 3.3 测试结果与分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 离子掺杂改善NiTiNb_2O_8 性能及低温烧结的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Zn~(2+)取代Ni~(2+)对NiTiNb_2O_8 陶瓷性能的影响及低温烧结研究 |
| 4.2.1 Ni_(1-x)Zn_xTiNb_2O_8 陶瓷的制备与表征 |
| 4.2.2 测试结果与分析 |
| 4.3 Zr~(4+)掺杂取代Ti~(4+)对Ni_(0.4)Zn_(0.6)TiNb_2O_8 陶瓷介电性能的影响 |
| 4.3.1 Ni_(0.4)Zn_(0.6)Ti_((1-x))Zr_xNb_2O_8 陶瓷材料的制备与表征 |
| 4.3.2 测试结果与分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 NbO_6 八面体的改性对NiTiNb_2O_8 陶瓷介电性能的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ta~(5+)掺杂对NiTiNb_2O_8 陶瓷材料的制备与表征 |
| 5.3 测试结果与分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 添加BiVO_4对NiTiNb_2O_8 陶瓷低温烧结的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 NiTiNb_2O_8+xwt%BiVO_4 陶瓷材料的制备与表征 |
| 6.3 测试结果与分析 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 全文总结及展望 |
| 7.1 全文总结及创新点 |
| 7.2 后续工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间的成果 |
（10）高介Ti基与低介Li基微波陶瓷的制备及性能机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介质陶瓷的全球研发历史和前景 |
| 1.2.1 发展史 |
| 1.2.2 国内外研究状况和行业前景 |
| 1.3 电介质极化理论与介电性能 |
| 1.3.1 电介质极化理论 |
| 1.3.2 相对介电常数 |
| 1.3.3 品质因数 |
| 1.3.3.1 本征介质损耗 |
| 1.3.3.2 非本征损耗 |
| 1.3.4 谐振频率温度系数 |
| 1.3.4.1 介电常数的影响 |
| 1.3.4.2 结构容忍因子和氧八面体畸变 |
| 1.3.4.3 阳离子键价理论 |
| 1.4 微波介质陶瓷的分类与研究路线图 |
| 1.4.1 微波介质陶瓷的分类 |
| 1.4.2 微波介质陶瓷的研究路线图 |
| 1.5 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 微波介质陶瓷的制备和表征方法 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 |
| 2.1.1 实验所需原料 |
| 2.1.2 实验所需设备 |
| 2.1.3 实验样品制备工艺过程 |
| 2.2 微波介电性能测试与微结构表征 |
| 2.2.1 介电性能测试 |
| 2.2.2 表观密度、相对密度和气孔率 |
| 2.2.3 粉末X射线衍射和Rietveld晶体结构精修法 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜微观形貌分析 |
| 2.2.5 Raman散射光谱-晶格振动分析 |
| 第三章 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3基高介低损陶瓷的改性机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量掺杂剂对Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷的微观结构和微波介电性能研究 |
| 3.2.1 一次性合成高Q值 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_~(3+)Cr_2O_3陶瓷的介电性能研究 |
| 3.2.1.1 实验设计与测试 |
| 3.2.1.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 3.2.1.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 3.2.2 CeO_2对Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷微观结构和微波介电性能的影响 |
| 3.2.2.1 实验设计与测试 |
| 3.2.2.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 3.2.2.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 3.3 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3系陶瓷的A/B位取代研究 |
| 3.3.1 基于Nd~(3+)离子对Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷的A位取代机理研究 |
| 3.3.1.1 实验设计与测试 |
| 3.3.1.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 3.3.1.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 3.3.2 基于Sn~(4+)离子对Na_(0.5)Nd_(0.2)Sm_(0.3)TiO_3陶瓷的B位取代机制研究 |
| 3.3.2.1 实验设计与测试 |
| 3.3.2.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变 |
| 3.3.2.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 3.3.3 基于Zr~(4+)对Na_(0.5)Nd_(0.2)Sm_(0.3)TiO_3陶瓷的B位取代机制研究 |
| 3.3.3.1 实验设计与测试 |
| 3.3.3.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 3.3.3.3 NNSTZx陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3基高介陶瓷的改性机理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3基陶瓷的B位离子取代机理研究 |
| 4.2.1 基于Al~(3+)离子对Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3 陶瓷B位取代机理研究 |
| 4.2.1.1 实验设计与测试 |
| 4.2.1.2 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 4.2.1.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.2.2 基于Zn_(1/3)Ta_(2/3) 离子对Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3陶瓷B位取代机理研究 |
| 4.2.2.1 实验设计与测试 |
| 4.2.2.2 陶瓷材料的晶相与微观结构分析 |
| 4.2.2.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.2.3 基于Mg_(1/3)Ta_(2/3) 离子对Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3陶瓷B位取代研究 |
| 4.2.3.1 实验设计与测试 |
| 4.2.3.2 陶瓷材料的晶相与微观结构分析 |
| 4.2.3.3 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 4.3 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3体系陶瓷的低温烧结机理研究 |
| 4.3.1 基于BaCu(B_2O_5)对CLNTA3 陶瓷的低温烧结研究 |
| 4.3.1.1 实验设计与测试 |
| 4.3.1.2 陶瓷材料的晶相与微观结构分析 |
| 4.3.1.3 陶瓷材料的致密度与微波性能分析 |
| 4.3.1.4 与银电极低温共烧兼容性研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Li_2Mg_3BO_6(B=Ti,Sn)基超高Q值陶瓷的改性机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Li_2Mg_3SnO_6基陶瓷的新型气氛控制烧结与改性机理研究 |
| 5.2.1 Li_(2+x)Mg_3SnO_6陶瓷的气氛控制致密烧结与微波介电性能研究 |
| 5.2.1.1 研究思路 |
| 5.2.1.2 实验设计与测试 |
| 5.2.1.3 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 5.2.1.4 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 5.2.2 Li_(2/3(1-x))Sn_(1/3(1-x))Mg_xO系列陶瓷材料的结构衍变机理与性能研究 |
| 5.2.2.1 研究思路 |
| 5.2.2.2 实验设计与测试 |
| 5.2.2.3 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 5.2.2.4 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 5.3 Li_2Mg_3TiO_6基陶瓷的物相衍变、微结构与改性机理研究 |
| 5.3.1 一次性合成Li_2Mg_3TiO_6-CaTiO_3 复相陶瓷的结构与介电性能研究 |
| 5.3.1.1 研究思路 |
| 5.3.1.2 实验设计与测试 |
| 5.3.1.3 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 5.3.1.4 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 5.3.2 Li_(2/3(1-x))Ti_(1/3(1-x))Mg_xO系列化陶瓷的结构衍变机理与介电性能研究 |
| 5.3.2.1 研究思路 |
| 5.3.2.2 实验设计与测试 |
| 5.3.2.3 陶瓷材料的晶相与微观结构衍变分析 |
| 5.3.2.4 陶瓷材料的致密度与微波介电性能分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 论文总结、创新点和展望 |
| 6.1 本论文的主要结论 |
| 6.2 本论文的创新点 |
| 6.3 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
四、高介电常数微波介质陶瓷（论文参考文献）
- [1]离子取代对SrAl2Si2O8系微波介质陶瓷的结构和性能研究[D]. 朱惠. 西华大学, 2021(02)
- [2]低介电微波介质陶瓷的制备及其性能优化[D]. 栾晓雯. 桂林理工大学, 2021(01)
- [3]低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究[D]. 王刚. 电子科技大学, 2021(01)
- [4]Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介质陶瓷制备与改性机理研究[D]. 熊喆. 电子科技大学, 2020(03)
- [5]钨青铜结构高介电常数微波介质陶瓷的性能调控[D]. 王耿. 华中科技大学, 2020
- [6]堇青石基微波介质陶瓷的制备及性能研究[D]. 彭昶. 电子科技大学, 2020(01)
- [7]高介电常数NPO电容器介质材料的制备及性能研究[D]. 孙竹叶. 北京有色金属研究总院, 2020(08)
- [8]Li-Mg-Nb系微波介质陶瓷改性研究[D]. 王文文. 电子科技大学, 2020(07)
- [9]Ti基中高介电常数陶瓷的制备与性能研究[D]. 黄鑫. 电子科技大学, 2020(07)
- [10]高介Ti基与低介Li基微波陶瓷的制备及性能机理研究[D]. 方梓烜. 电子科技大学, 2019(04)