一、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究（论文文献综述）
江涛,韩慢慢,付甲[1]（2021）在《可加工氮化硼系复相陶瓷的研究发展现状和发展趋势以及应用现状分析》文中研究说明先进陶瓷材料具有较高的力学性能,以及较高的抗高温氧化性能等。但是先进陶瓷材料由于硬度较高、可加工性能较差,导致陶瓷材料的机械加工成本较高,所以限制了陶瓷材料的广泛应用。为了改善和提高陶瓷材料的可加工性能,向陶瓷基体中加入六方氮化硼形成可加工氮化硼系复相陶瓷。可加工氮化硼系复相陶瓷具有较高的力学性能和优良的可加工性能,氮化硼系复相陶瓷可以进行机械加工。目前研究和开发的可加工氮化硼系复相陶瓷主要包括:Al2O3/BN复相陶瓷,ZrO2/BN复相陶瓷,SiC/BN复相陶瓷,Si3N4/BN复相陶瓷,AlN/BN复相陶瓷等。目前可加工氮化硼系复相陶瓷的研究主要集中在氮化硼系复相陶瓷的制备工艺,力学性能,可加工性能,抗热震性能,抗高温氧化性能等。本文主要叙述可加工氮化硼系复相陶瓷的制备工艺,力学性能和可加工性能,抗热震性能,抗高温氧化性能等。并叙述可加工氮化硼系复相陶瓷的研究发展现状和发展趋势,并对可加工氮化硼系复相陶瓷的未来发展趋势进行分析和预测。
张智睿,秦明礼,吴昊阳,刘昶,贾宝瑞,曲选辉[2]（2021）在《氮化铝粉末制备方法及研究进展》文中进行了进一步梳理氮化铝因高导热和绝缘性得到广泛应用,目前全球氮化铝应用市场处于高速成长期,对氮化铝的需求也在持续增长。氮化铝粉末是制备氮化铝陶瓷的关键原料,其性质对后续制备的氮化铝陶瓷性能有决定性影响。本文整理对比了微米级与纳米级氮化铝粉末的制备方法并对未来氮化铝粉末制备的研究方向和发展趋势提出了展望。
蓝键,马思琪,李邑柯,尹荔松[3]（2021）在《氮化铝粉末制备与应用研究进展》文中研究表明氮化铝陶瓷因具有高导热率、各种电性能优越、机械性能好、良好的化学稳定性等优点,可作为封装散热基板和电子元件制造的理想材料。而氮化铝陶瓷的优良性能基于其粉体的高品质,要想获得性能优良氮化铝陶瓷,关键是要制备高质量的氮化铝粉体。随着5G时代的到来,氮化铝作为最理想的基片材料,如何制备高质量高性能的氮化铝粉末成为先进材料方向的研究重点。系统介绍了当前氮化铝粉末的制备工艺及研究现状,对影响氮化铝粉末制备的因素进行阐述说明,并对催化剂应用效果进行了对比研讨,然后通过实验探讨氮化铝粉末在5G覆铜板的导热应用,以及对未来氮化铝的发展前景进行了展望。
闫长明[4]（2020）在《铝镁合金粉末原位合成AlN及其表征》文中认为AlN粉末和陶瓷以其高热导率、低介电常数以及与硅相近的热膨胀系数等优异的物化性能成为电子封装和高功率器件行业最具潜力的材料之一。相较于其他的AlN粉末合成技术,原位合成技术具有产物氧含量低、成本低廉、工艺简单及可规模化生产等优势而备受关注。然而,为实现铝合金完全氮化,往往需要在合金中引入高含量的合金元素。经氮化后合金元素以单质或氮化物形式存在于AlN中,导致产物纯度低,严重影响AlN陶瓷的热导率。为解决这一问题,本文选用铝镁合金粉末为原材料,利用Mg具有蒸汽压大和Mg3N2在高温下易分解的特点,采用真空升华法对Mg3N2进行去除,以期一炉原位合成出无合金元素及其氮化物残留的AlN粉末。探讨氮化温度、氮化时间、粉末粒径等因素对氮化产物微观结构、粒径分布和比表面积的影响规律,为使原位合成AlN粉末的粒径分布向110μm逼近提供借鉴。对真空升华法去除反应副产物进行理论分析并加以实验验证,通过对升华产物进行表征与分析,探索出合适的真空升华工艺。研究结论如下:（1）对粒径为7537.5μm的合金粉末进行氮化,当氮化温度为800℃时,继续提高氮化温度或延长氮化时间均有利于合金粉末完全氮化。且随着氮化温度的升高,氮化反应越剧烈,氮化产物的粒径分布逐渐变窄,中位径减小,比表面积增大;当氮化温度超过900℃时,晶粒择优生长使得粉末由颗粒状向棒状转变;初始合金粒径越细小,所得氮化产物的粒径越细小,比表面积越高;将粒径为37.5μm以下的合金粉末在850℃氮化3 h,可得到粒径细小、比表面积较高且完全氮化的复合粉体,其中位径为5.34μm、平均粒径为7.04μm、比表面积为26.85 m2/g。（2）真空升华法可以有效去除氮化产物中残留的Mg3N2。提高升华温度有利于加快Mg3N2的升华和分解,缩短升华时间;将粒径为7537.5μm合金粉末在850℃氮化3 h后在1050℃升华1 h可去除氮化产物中的Mg3N2,同时得到粒径细小且结构疏松的粉体,其中位径为9.17μm,平均粒径为12.50μm。（3）在酸洗后的AlN粉末中加入2 wt.%Y2O3作为烧结助剂,经球磨压坯后在1800℃无压烧结3 h可得到结构致密的AlN陶瓷,其相对密度和热导率分别为97.57%和122.14W/（K?m）。
辛伟达[5]（2020）在《铝基体热氮等离子体制备陶瓷强化层的微观组织和形成机理研究》文中研究指明由于铝及其合金具有比强度高、抗腐蚀性强的特点,越来越受到人们关注。但铝及其合金硬度低、耐磨性差的缺点限制了其应用。为提高铝基体表面硬度与耐磨性,本文采用钨极氩弧焊设备,以氮气作为反应气体,制备了热氮等离子体并作用在铝及铝合金基体表面,原位制备了陶瓷增强的表面强化层,研究了强化层微观组织与性能特点,分析了强化相的形成原理并提出了不同氮化条件下强化层的形成机理。首先,采用热氮等离子体直接氮化铸造铝合金ZAlSi12基体表面,制备了AlN陶瓷强化层。该方法氮化时间短,几乎不受氧分压影响。制备的ZAlSi12基体表面强化层主要由Al相、AlN相和少量Si相组成。直流氮化时,强化层中AlN相分布致密,占比高达96.4%。强化层从下向上可分为过渡区与树枝晶区两个区域。Si元素通过形成中间产物Si3N4对AlN相的生成起到了催化作用。强化层形成过程中,Al熔体从基体向上输运并穿过AlN组织间的缝隙到达强化层顶部,与热氮等离子体反应生成AlN组织。通过对强化层进行测量,发现随着氮化电流的增大,ZAlSi12基体表面强化层磨粒磨损失重量先升高后降低,在130 A时达到最低,约为基体的1/13,此时强化层外侧平均硬度为基体的8.1倍。润滑条件下的摩擦磨损体积损失量随氮化电流的增大先减小后增大,在90 A时达到最低,约为基体的1/38。采用交流氮化时,ZAlSi12基体表面强化层中AlN组织致密性下降,AlN含量约为71.8%。随后,采用预敷Ti粉热氮等离子体氮化工艺,在1060纯铝基体表面制备陶瓷强化层。制备的强化层主要由AlN相、Al3Ti相、Al相和少量TiN相组成。强化层顶部形成了层状AlN组织,Ti元素主要集中在强化层中下部,并形成针状Al3Ti脆硬相。强化层形成过程中,Al熔体向上输运,部分Al熔体输运到强化层顶部并与氮等离子体反应生成AlN组织,部分Al熔体与Ti熔体混合形成Al-Ti混合熔体。Al-Ti混合熔体在随后的冷却过程中析出TiN小晶粒和针状Al3Ti组织。1060纯铝基体表面不同氮氩气体配比制备的强化层外侧平均硬度均显着高于基体,且磨损失重明显降低。但强化层中存在大量的针状Al3Ti脆硬组织易引起应力集中;强化层底部与基体交界处存在较多缺陷,包括残留的未熔Ti粉与基体熔合不良,在交界处存在孔洞等。为改善组织缺陷,通过预先制备AlN层,再预敷Ti粉氮化的方法在ZAlSi12基体表面制备了AlN/Ti-Al-N复合强化层。ZAlSi12基体复合强化层中Al3Ti组织呈颗粒状或块状,裂纹生成倾向明显降低,同时Ti粉熔覆区与AlN层区交界处形貌得到明显改善。研究发现Si元素改善了Al3Ti组织的形貌,降低了强化层裂纹生成倾向。预敷Ti粉制备强化层实验中,选用氮氩混合气氛在ZAlSi12基体表面制备的AlN/Ti-Al-N复合强化层具有较好的组织结构,强化层中Al3Ti脆硬组织形貌明显改善,无明显裂纹生成,疏松组织少,咬边现象较轻,且Al熔体相较少。最后,文章对比研究了1060纯铝基体表面直接氮化与Si辅助氮化制备陶瓷强化层的组织特点。1060纯铝基体热氮等离子体直接氮化制备的强化层主要由层状与枝晶状AlN相和Al熔体相组成,AlN相分布稀疏,含量约为58.0%。强化层的硬度及耐磨性明显低于ZAlSi12基体直接氮化强化层。采用预敷Si粉辅助氮化和填丝氮化两种工艺均能显着提升1060纯铝基体强化层中AlN组织致密性,强化层上部AlN相占比分别可达82.4%和91.5%。采用预敷Si粉辅助氮化工艺时,由于不同位置预敷粉末熔化速率不同,造成强化层中间处向下凹陷并进入基体,两侧Ti粉熔化不良形成未熔颗粒层,影响成型。此外,熔体横向输运速率大,与氮等离子体反应不充分,AlN组织不如ZAlSi12基体直接氮化强化层致密。采用填丝氮化方法制备的强化层中AlN相致密,AlN相含量接近ZAlSi12基体直接氮化强化层;同时焊丝与基体熔合良好,缺陷较少,成型优良。
胥有利[6]（2020）在《氧化铝碳热还原氮化法制备氮化铝的机理研究》文中提出目前,氧化铝碳热氮化法制备氮化铝虽已工业运用,但该方法仍存在反应温度高,时间长等缺点,在课题组前期研究中,已可在300Pa、1923K、保温2.5h下将氧化铝经真空碳热还原氮化法完全转化为氮化铝。为进一步优化氧化铝真空碳热还原氮化制备氮化铝的实验条件,本文首先采用Factsage软件对相关反应进行热力学计算,并采用第一性原理的方法对前期实验过程中发现的中间产物Al2CO、Al4C3以及Al6C3N2进行氮化反应机理研究,根据热力学计算和第一性原理研究的结果,开展实验研究,获得了更为优化的氧化铝真空碳热还原氮化制备氮化铝的方法。本文首先对氧化铝碳热还原氮化法制备氮化铝过程的相关反应在100k Pa和300Pa的压力下进行了反应热力学计算,计算结果表明:当压强从标准压强降低至300Pa时,Al N、Al2CO、Al2O（g）、Al（g）及Al4C3开始反应温度分别由1963.3K、2208.4K、2357.0K、2447.5K和2257.8K降低至1545.9K、1723.2K、1804.0K、1818.2K和1775.5K,并且反应开始温度递增的顺序为:Al N<Al2CO<Al4C3<Al2O（g）<Al（g）,生成的中间产物最终均可氮化生成Al N。采用从头算分子动力学模拟方法对中间产物Al2CO、Al4C3和Al6C3N2的氮化机理进行了研究,研究结果表明,对Al2CO体系而言,Al2CO中的C易发生聚集,且Al2CO更容易氮化生成Al6C3N2。对Al4C3-C-N2体系而言,存在外部C且温度为1923K时,Al4C3容易氮化并形成Al6C3N2的结构,晶格中的C原子会发生聚集现象。Al6C3N2的动力学模拟结果表明其容易发生氮化反应,且晶格中的C原子在氮化过程中产生聚集现象,Al6C3N2的氮化反应为Al6C3N2+2N2→6Al N+3C。根据中间产物的氮化机理研究结果可知,中间产物Al2CO最难被氮化、Al4C3次之、Al6C3N2最容易被氮化。根据热力学研究和动力学模拟结果对氧化铝真空碳热还原氮化法制备氮化铝采用双温区真空炉进行实验改进,当Al2O3和C的摩尔比为1:3.25,在1923K,300Pa时,保温1.5h即可将氧化铝全部转化为粒径小于5μm的氮化铝粉末,而且该过程中不存在Al（g）和Al2O（g）生成,并且通过对热力学、反应机理以及实验研究结果可知该过程的反应路径为:Al2O3→Al2CO/Al4C3→Al6C3N2→Al N。实验结果表明氧化铝真空碳热还原氮化制备氮化铝具有制备纳米氮化铝的可能性,因此对AlnNn（n=2-9）团簇的生长机理进行了研究,研究结果显示:AlnNn（n=2-9）团簇的反应路径为Al N（plane）→Al2N2（plane）→Al3N3（plane）→Al4N4（plane）→Al5N5（bulk）→Al6N6（bulk）→Al7N7（bulk）→Al8N8（bulk）→Al9N9（bulk）,由路径可知Al4N4团簇和Al5N5团簇之间存在二维到三维团簇结构转变点,在转变点之后,团簇的稳定结构均为三维体相结构。
何庆[7]（2020）在《纳米氮化铝粉末的制备、烧结及性能研究》文中研究指明氮化铝（AlN）陶瓷由于其优异的性能目前在集成电路、半导体、微波器件、红外窗口、蒸发舟皿等领域有着广泛的应用和巨大的潜力。现有的利用碳热还原法制备AlN粉末的生产工艺存在碳热还原温度高、原料混合均匀难、原料获取难、能耗高等突出问题。溶液燃烧合成（SCS）作为一种适合制备纳米粉末的有效方法,具有所合成产物活性高、成分均匀、原料易获取、能耗低等众多优势。本文将利用这种方法来制备纳米AlN粉末,研究内容主要包括以下几个方面:（1）采用溶液燃烧合成无定形A1203和C的混合前驱体,以NH3作为反应气体,成功制备出超细纳米AlN粉末。研究了燃烧气氛对合成前驱体的粒度形貌、碳含量以及比表面积的影响,对比不同气氛中燃烧合成前驱体进行碳热还原反应的差异。在Ar中燃烧合成前驱体的碳铝原子比为4.4:1,比表面积为7.4m2/g,在1000℃氮化就生成AlN相,在1300℃氮化2h实现完全氮化,获得粒径20～30nm的超细纳米AlN粉末。无助剂纳米AlN粉末常压1600℃烧结4h后致密度达到98.5%。热力学计算结果表明,无定形Al2O3在NH3中进行碳热还原反应的热力学开始温度为1068℃,无定形A1203在热力学上的开始氮化温度要比γ-Al2O3低50℃。（2）研究了溶液燃烧合成前驱体在低温氮化过程中的物相变化,研究了前驱体中C对A1203结晶相变及碳热还原反应的影响,研究了 AlN颗粒的形核和结晶规律。以N2为反应气体,燃烧合成前驱体的开始氮化温度为]300℃,比球磨混合前驱体的低200℃。在1500℃氮化2h实现完全氮化,获得粒径80～1 00nm的纳米AlN粉末。在碳热还原反应过程中,C不仅起到了还原A12O3的作用,同时抑制了 A1203从高活性晶型向稳定晶型的转变。在燃烧合成前驱体的碳热还原反应过程中,无定形A1203在转变成结晶态A12O3之前,优先与C发生碳热还原反应生成AlN相,这无疑加快了氮化反应进程。AlN相的生成主要分为以下几个阶段,在氮化反应开始阶段,无定形态AlN首先在前驱体的片状颗粒上均匀形核;随后局部区域的无定形态AlN优先发生结晶转变;随着氮化反应的进行,不断发生AlN的形核、结晶和长大;最终所有的A1203全部转变成AlN后,达到完全氮化。（3）研究了溶液燃烧合成纳米AlN粉末的常压烧结致密化规律,研究了烧结助剂、压制压力以及预处理对致密度、显微组织及陶瓷性能的影响。无助剂纳米AlN粉末进行常压烧结时,1700℃烧结4h致密度达到98.4%,维氏硬度和抗弯强度分别为1040HV0.3和277.41MPa。添加3%氧化钇的纳米AlN粉末常压1600℃烧结4h致密度达到99.5%,维氏硬度和抗弯强度分别达到1310HV0.3和350.34MPa。纳米AlN粉在较低压制压力成形后烧结就可以获得高致密度的陶瓷,压制压力过高时坯体会在卸压后发生弹性膨胀,在生坯中产生孔隙和裂纹,从而造成陶瓷致密度和力学性能下降。对AlN脱脂坯进行预处理能降低坯体的氧、碳含量,随着陶瓷中氧含量的降低,第二相种类由富铝盐向着富钇盐转变。预处理提高了 AlN陶瓷的抗弯强度和热导率,经预处理的AlN陶瓷中,1300℃预处理5h的AlN陶瓷抗弯强度为最高值549.28MPa,比未预处理的AlN陶瓷提高了 59.0%,在1500℃预处理10h的AlN陶瓷热导率为最高值144.98W/m·K,比未预处理的AlN陶瓷提高了36.5%。
鲁慧峰[8]（2020）在《氮化铝粉末制备及注射成形研究》文中认为氮化铝陶瓷由于其优异的导热性能,高的绝缘以及良好的力学性能,与半导体材料相近的热膨胀系数,耐等离子体侵蚀等特点,是半导体芯片封装、精密电子仪器零部件、消费电子用光学器件等的关键材料。但现有制造高纯氮化铝粉末的原材料价格高、合成时间长、能耗高,造成氮化铝粉末价格较高,同时因其粒度细、易水解等特点,也使得粉末的存储与使用环境要求高。由于氮化铝硬度高、脆性大,加工性能差,采用传统的加工方法难以制备出复杂形状和高尺寸精度的零部件,极大地限制了氮化铝陶瓷的应用。这些限制了氮化铝材料的广泛应用,针对以上问题,本文开展了以下研究:（1）采用沉淀法合成碳酸氢铵与炭黑的混合前驱物,与氮气在加热条件下发生碳热还原反应,合成氮化铝与碳的混合物,经过在空气中除去多余的碳,得到氮化铝粉末。研究表明,采取反向滴定的方法,且控制pH值为8.5-10之间时,方能合成物相为碳酸铝铵的前驱物,该前驱物的开始氮化温度在1200℃-1300℃之间,通过调整碳铝比例与反应温度,可制备出不同粒径的氮化铝粉末。当碳铝原子摩尔比为8:1时,反应温度为1450℃时,合成氮化铝粉末一次粒径为80nm,比表面积为17m2/g,当碳铝原子摩尔比为1.8:1,反应温度为1650℃时,氮化铝粉末一次粒径在700 nm左右,比表面积为2.1m2/g。（2）采用磷酸+磷酸二氢铝对合成的氮化铝粉末进行表面改性,改性后的粉末进行抗水化试验,发现未经过改性的粉末很快发生水解,水中pH值上升至10,经XRD分析发现物相已变为氢氧化铝,SEM观察形貌发现已变成棒状或柱状,而经过表面改性处理的氮化铝粉末能在70℃水中稳定存在72小时以上不发生水解。将处理好的粉末与氧化钇粉末进行球磨混合,发现研磨时间超过16小时后,经600℃煅烧的粉末氧含量增加明显,氮化铝表面保护层被破坏。将研磨4小时的氮化铝和氧化钇的混合浆料进行喷雾造粒,得到平均粒径为52.1μm,松装密度和振实密度分别为0.93g/cm3和1.05 g/cm3的造粒粉。粉末在200MPa压力下,生坯相对密度为58%。经过脱脂、烧结得到的氮化铝陶瓷,热导率为171.2W/m·k。抗弯强度为340MPa。（3）采用蜡基粘结剂分别与自制的碳热还原法氮化铝粉末以及购买的直接氮化法粉末混炼,制备氮化铝陶瓷喂料,研究了氮化铝原料粉末形貌与粒度对喂料临界装载量的影响,发现形貌相对规则的碳热还原法粉末比直接氮化法粉末具有更高的临界装载量,二者临界装载量分别为60vol.%和58vol.%,在临界装载量下,研究了喂料的粘度对剪切速率的变化以及对温度的敏感程度,发现二种喂料的综合因子αSTV分别为0.6-0.75之间。烧结后的氮化铝陶瓷零件热导率分别为186 W·m-1·K-1和130 W·m-1·K-1,抗弯强度分别为363MPa和320MPa。通过在混料过程中向喂料中加入1wt.%的热塑性酚醛树脂,发现最终脱脂坯中碳含量为0.4wt.%,将脱脂后的坯体氮气中加热至1500℃,保温4小时后,碳含量变为0.04wt.%,氧含量由1.89wt%降至1.32wt.%。烧结后的样品中第二相呈岛状分布,且相组成为Y4A1209和YA103,二者比例为1:2,最终烧结样品的热导率提高到248 W/m·k。
李阳[9]（2019）在《Al2O3/YSZ及Si3N4陶瓷的放电等离子烧结及力学性能的研究》文中研究说明钇稳定氧化锆及氮化硅是先进结构陶瓷材料,氧化锆的相变增韧特性和优异的力学性能,使其被广泛应用在齿科材料、人体骨骼、陶瓷刀具等方面,氮化硅陶瓷具有低密度、高强度、耐磨、耐腐蚀、抗热震等性质而广泛应用于切割工具、发动机部件及金属成型模具等,但他们也具有陶瓷的固有脆性及烧结惰性,研究高致密度的陶瓷制备工艺及进一步增韧是陶瓷研究的重要任务。放电等离子烧结采用脉冲电流通电加热加压方式,具有升温快、烧结温度低、烧结时间短、密度高、降低晶粒长大等特点,有利于提高材料的强度及韧性,是陶瓷材料烧结的重要新技术。本工作在对商用钇稳定氧化锆陶瓷进行放电等离子烧结（SPS）工艺研究的基础上对机械混合法及化学共沉淀法制备Al2O3/YSZ（3 mol%Y2O3）复合粉末进行放电等离子烧结研究;以Al2O3-YSZ、Al2O3-AlN-Yb2O3及Al2O3-AlN-Yb2O3三个体系为烧结助剂进行了Si3N4陶瓷的放电等离子烧结并研究了它们的物相、组织及力学性能,最后研究了TiC0.3N0.7对以Al2O3-AlN-Yb2O3为烧结助剂烧结的β-Sialon陶瓷性能的影响,获得如下结论:（1）采用机械混合法及化学共沉淀法制备了25 Al2O3-ZrO2（wt.%）复合粉末并进行了放电等离子烧结研究,研究表明:机械混合法制备的25 Al2O3-ZrO2（wt.%）复合粉末,烧结前后均为钇稳定氧化锆四方主相T-YSZ与α-Al2O3相的混合物,未发现有Al固溶到T-YSZ中,α-Al2O3相粗大,周围缺陷较多,在烧结温度1300℃,保温10 min,烧结压力20 MPa时获得最佳的力学性能,其维氏硬度为15.14 GPa,断裂韧性为4.27 MPa m1/2;而采用共沉淀法制备的25 Al2O3-ZrO2（wt.%）复合粉末,获得了单一的四方相固溶体T-（YA）SZ,所有Al原子溶入T-YSZ相中,经SPS烧结后有微量的α-Al2O3相析出,微量细小的α-Al2O3相均匀分布在T-YSZ基体中,表现出较好的断裂韧性,在烧结温度1200℃,烧结时间10 min及烧结压力20 MPa下获得最佳样品,维氏硬度为14.75 GPa,断裂韧性为5.40 MPa m1/2。（2）以α-Si3N4为原料,6.0 wt.%Al2O3、6.0 wt.%YSZ为烧结助剂,进行β-Si3N4陶瓷的放电等离子烧结研究,当烧结温度为1600℃,保温时间为15 min,烧结压力为45MPa时获得了完全致密的β-Si3N4陶瓷,β-Si3N4晶粒形成互锁显微组织,具有优异的力学性能,其维氏硬度为16.15 GPa,断裂韧性为6.75 MPa m1/2。（3）为避免样品与石墨模具在高温高压下反应,本实验以Al2O3、AlN、Yb2O3为助烧剂,采用先无压后加压两步SPS烧结法制备了高性能的β-Sialon陶瓷。第一步:混合粉末经球磨、冷等静压成型及无压SPS烧结获得相对密度较高,达到3.23 g/cm3、α相转β相较为完全并具有晶粒互锁组织,硬度及断裂韧性较高,分别达到15.46 GPa及6.47 MPa m1/2的β-Sialon陶瓷。第二步:将第一步烧结的样品进行加压烧结,样品的密度进一步提高到3.25 g/cm3,硬度达到16.13 GPa。热导率随助烧剂含量的增加而减小,室温热导率为16.9 W m-1 K-1。（4）以Al2O3、AlN、Yb2O3为助烧剂,采用两步放电等离子法制备了添加TiC0.3N0.7的β-Sialon陶瓷,研究了TiC0.3N0.7对β-Sialon陶瓷物相、组织、性能的影响。实验表明:经第一步无压及第二步加压两步烧结得到样品结晶相几乎为β-Sialon相及微量TiC0.3N0.7相,中间过程出现了微量的过渡相Yb2Si3N2O5,Yb4Si2N2O7,TiC0.3N0.7相均匀分布在β-Sialon基体中,对裂纹的扩展起阻碍作用,提高了材料的断裂韧性。添加1.0 wt.%TiC0.3N0.7时,β-Sialon陶瓷的断裂韧性达到7.67 MPa m1/2,比未添加TiC0.3N0.7时的6.47MPa m1/2提高了18.5%,维氏硬度为15.73 GPa,室温热导率为13.6 W m-1 K-1。
马丁[10]（2019）在《适合于导热基板用AlN粉体的制备与表征》文中研究表明氮化铝（AlN）是一种新型的功能陶瓷材料,由于其较高的热导率、可靠的绝缘性能以及与硅相近的热膨胀系数使得AlN成为了理想的散热基板材料。氮化铝的工业化生产主要围绕着碳热还原法,铝粉直接氮化法和自蔓延高温合成法这三种。由于碳热还原法制备的AlN颗粒小、纯度高且分散性好,再加上原料来源丰富,工艺过程简单,使其成为了最容易推广生产的方法。本研究工作主要对碳热还原法的生产条件、设备的选择以及实际生产中出现的问题进行了研究。（1）对碳热还原法中的实验条件进行了具体的研究,其中包含温度、添加剂、碳铝比、以及混合方式的影响。温度是影响氮化反应最重要的条件之一。随着反应温度的增加,反应的速率会有较大的提升且AlN的纯度也会随之增加。对于原料粒径在1 μm以下的情况下,1500℃是反应的一个分界点,1500℃以上的温度氮化反应会加速进行,制备出纯相的AlN,而1500℃以下的反应则含有Al2O3杂质。但是较高的反应温度会带来AlN粒径的增大。添加剂CaF2的加入会在低温下形成液相中间体,进而降低反应的温度,但AlN产物的粒径也会随着CaF2的加入而急剧增大。添加剂AlN晶种的加入则会使产物的粒径尺寸分布更均匀。碳铝比对反应的影响,主要在于参与反应的碳粉的量不易过少以及过量。碳粉的不足会使反应不完全,有剩余的Al2O3存在。而过量的碳粉则会增加后续脱碳的时间,造成氧含量的增加以及成本的增加。因此选择碳铝质量比为0.5为最优参数。混合方式对氮化后的粉末有着巨大的影响。当Al2O3与碳粉充分接触的情况下,反应的温度,产物的粒径以及氧元素的含量有着不同程度的降低。针对工业中容易实施的手混、机混以及湿法混料作了测试对比,为后续的实验以及生产提供了数据参考。（2）对四种不同设备制备AlN的工艺进行了实验与测试。这四种设备分别是管式炉,箱式炉,碳管炉,推板窑。在不同的实验条件下均可以制备出纯相的AlN粉末,但是碳管炉的制备效果最好。（3）研究了在实际生产中气体流量对反应的影响,装料深度对反应的影响以及气体流动方式的影响。
二、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究（论文提纲范文）
（3）氮化铝粉末制备与应用研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 氮化铝粉末的制备技术及发展现状 |
| 1.1 直接氮化法 |
| 1.2 碳热还原法 |
| 1.3 自蔓延高温合成法 |
| 1.4 化学气相沉积法 |
| 1.5 等离子化学合成法 |
| 1.6 其他制备工艺 |
| 1.6.1 溶胶-凝胶法 |
| 1.6.2 高能球磨法 |
| 1.6.3 溶剂热合成法 |
| 2 影响氮化铝粉末制备的主要因素 |
| 3 氮化铝的应用 |
| 3.1 压电装置应用 |
| 3.2 封装材料应用 |
| 3.3 陶瓷应用 |
| 3.4 短波发光器件和荧光应用 |
| 4 结语与展望 |
（4）铝镁合金粉末原位合成AlN及其表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 氮化铝的性能与应用 |
| 1.2.1 氮化铝的性能 |
| 1.2.2 氮化铝的应用 |
| 1.3 氮化铝粉末的制备方法 |
| 1.3.1 铝粉直接氮化法 |
| 1.3.2 碳热还原法 |
| 1.3.3 高温自蔓延合成法 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 |
| 1.3.5 高能球磨法 |
| 1.3.6 等离子体法 |
| 1.4 原位合成技术 |
| 1.4.1 原位合成技术简介 |
| 1.4.2 原位合成氮化铝粉末研究进展 |
| 1.5 研究意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 实验材料与方法 |
| 2.1 实验原材料和设备 |
| 2.1.1 实验原材料 |
| 2.1.2 实验设备 |
| 2.2 材料制备 |
| 2.2.1 铝镁合金粉末制备 |
| 2.2.2 氮化铝粉末制备 |
| 2.2.3 氮化铝陶瓷制备 |
| 2.3 样品表征与性能测试 |
| 2.3.1 物相分析 |
| 2.3.2 微观结构分析 |
| 2.3.3 粒径分布测试 |
| 2.3.4 BET比表面积测试 |
| 2.3.5 相对密度测试 |
| 2.3.6 热导率测试 |
| 3 合金体系选择及工艺制定 |
| 3.1 合金体系选择 |
| 3.1.1 合金成分选择 |
| 3.1.2 合金含量选择 |
| 3.2 氮化工艺制定 |
| 3.3 真空升华工艺制定 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 氮化铝粉末的制备及表征 |
| 4.1 铝镁合金粉末表征 |
| 4.2 完全氮化温度与时间预定 |
| 4.3 氮化温度对氮化产物微观结构、粒径和比表面积的影响 |
| 4.3.1 微观结构分析 |
| 4.3.2 粒径分析 |
| 4.3.3 比表面积分析 |
| 4.4 氮化时间对氮化产物微观结构、粒径和比表面积的影响 |
| 4.4.1 微观结构分析 |
| 4.4.2 粒径分析 |
| 4.4.3 比表面积分析 |
| 4.5 粉末粒径对氮化产物微观结构、粒径和比表面积的影响 |
| 4.5.1 微观结构分析 |
| 4.5.2 粒径分析 |
| 4.5.3 比表面积分析 |
| 4.6 真空升华法去除Mg_3N_2 |
| 4.6.1 物相分析 |
| 4.6.2 微观结构分析 |
| 4.6.3 粒径分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 氮化铝陶瓷的制备及表征 |
| 5.1 酸洗除杂 |
| 5.1.1 物相分析 |
| 5.1.2 微观结构及微区成分分析 |
| 5.1.3 粒径与等温吸脱附曲线分析 |
| 5.2 球磨处理 |
| 5.2.1 微观结构分析 |
| 5.2.2 粒径与等温吸脱附曲线分析 |
| 5.3 氮化铝陶瓷的表征及分析 |
| 5.3.1 物相分析 |
| 5.3.2 微观结构分析 |
| 5.3.3 相对密度及热导率分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间主要研究成果 |
（5）铝基体热氮等离子体制备陶瓷强化层的微观组织和形成机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 氮化铝的特性 |
| 1.3 氮化铝材料的制备 |
| 1.3.1 AlN薄膜沉积技术 |
| 1.3.2 AlN粉末制备技术 |
| 1.3.3 AlN原位合成技术 |
| 1.4 本文研究内容 |
| 第2章 试验材料、方法及设备 |
| 2.1 试验材料 |
| 2.2 试验方法及设备 |
| 2.3 试样制备与分析 |
| 2.3.1 强化层组织分析 |
| 2.3.2 强化层性能测试 |
| 第3章 ZAlSi12 基体热氮等离子体制备陶瓷强化层微观组织、形成机理与性能 |
| 3.1 ZAlSi12 基体表面强化层的组织与形成机理 |
| 3.1.1 强化层组织分析 |
| 3.1.2 氮化反应原理 |
| 3.1.3 强化层形成机理 |
| 3.2 氮化电流强度对强化层组织和性能的影响 |
| 3.3 电流极性对强化层组织的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 铝基体预敷钛粉制备表面强化层的组织研究 |
| 4.1 Ti-Al系、Ti-N系金属间化合物 |
| 4.1.1 Ti-Al系金属间化合物 |
| 4.1.2 N对体系的影响 |
| 4.2 1060纯铝基体预敷钛粉氮化 |
| 4.2.1 强化层的微观组织 |
| 4.2.2 强化层的形成机理 |
| 4.2.3 强化层的力学性能 |
| 4.3 ZAlSi12 基体预敷钛粉氮化 |
| 4.3.1 ZAlSi12 基体预敷钛粉制备强化层 |
| 4.3.2 ZAlSi12 基体制备复合强化层 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 1060 纯铝基体Si辅助氮化制备强化层的微观组织研究 |
| 5.1 1060 纯铝基体直接氮化制备强化层 |
| 5.2 1060 纯铝基体预敷Si粉辅助氮化 |
| 5.2.1 强化层组织与形成机理 |
| 5.2.2 气体配比对强化层形貌的影响 |
| 5.3 1060 纯铝基体填丝氮化 |
| 5.3.1 强化层组织与形成机理 |
| 5.3.2 电流强度对强化层形貌的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 硕士在读期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（6）氧化铝碳热还原氮化法制备氮化铝的机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 氮化铝的制备方法 |
| 1.2.1 化学气相沉积法 |
| 1.2.2 高温自蔓延法 |
| 1.2.3 溶胶-凝胶法 |
| 1.2.4 等离子合成法 |
| 1.2.5 金属铝直接氮化法 |
| 1.2.6 碳热还原氮化法 |
| 1.3 氧化铝真空碳热还原氮化法制备氮化铝 |
| 1.4 从头算分子动力学模拟在AlN研究中的应用 |
| 1.5 研究内容 |
| 1.6 创新点 |
| 第二章 氧化铝碳热还原氮化反应的热力学研究 |
| 2.1 计算方法 |
| 2.2 氧化铝碳热还原氮化过程中相关反应的热力学研究 |
| 2.2.1 标准压强下氧化铝碳热还原氮化过程中相关反应的热力学分析 |
| 2.2.2 300Pa下氧化铝碳热还原氮化过程中相关反应的热力学分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 氧化铝碳热还原氮化的中间产物的氮化机理研究 |
| 3.1 第一性原理的计算方法 |
| 3.2 Al_2CO碳热氮化动力学模拟结果分析 |
| 3.2.1 Al_2CO的结构分析 |
| 3.2.2 Al_2CO-C-N_2体系电荷分析 |
| 3.2.3 Al_2CO-C-N_2动力学模拟后结构的分波态密度分析 |
| 3.3 Al_4C_3氮化机理分析 |
| 3.3.1 Al_4C_3氮化结构分析 |
| 3.3.2 Al_4C_3-C-N_2体系的电荷分析 |
| 3.3.3 Al_4C_3-C-N_2作用的分波态密度分析 |
| 3.4 Al_6C_3N_2氮化结果分析和讨论 |
| 3.4.1 Al_6C_3N_2动力学模拟的结构分析 |
| 3.4.2 Al_6C_3N_2动力学模拟前后的电荷分析 |
| 3.4.3 Al_6C_3N_2-N_2的分波态密度分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 双温区氧化铝真空碳热还原氮化的实验研究 |
| 4.1 实验原料 |
| 4.2 实验设备 |
| 4.3 实验方法 |
| 4.4 检测方法 |
| 4.5 结果讨论与分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 AlN团簇生长机理研究 |
| 5.1 计算方法 |
| 5.2 Al_nN_n(n=1-9)团簇的产物结构 |
| 5.3 产物结构分析 |
| 5.4 Al_nN_n(n=2-9)团簇的过渡态搜寻研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 附录A 攻读硕士学位期间参与的科研项目 |
| 附录B 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| B1.学术论文 |
| B2.专利 |
| B3.参加的学术会议 |
| 附录C 攻读硕士学位期间获得的奖励情况 |
（7）纳米氮化铝粉末的制备、烧结及性能研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 氮化铝的性质与应用 |
| 2.1.1 氮化铝的基本特性 |
| 2.1.2 氮化铝的应用 |
| 2.2 氮化铝粉末的制备 |
| 2.2.1 铝粉直接氮化法 |
| 2.2.2 碳热还原法 |
| 2.2.3 自蔓延高温合成法 |
| 2.2.4 化学气相沉积法 |
| 2.2.5 其他方法 |
| 2.3 氮化铝粉末的成形与烧结 |
| 2.3.1 成形方法 |
| 2.3.2 氮化铝坯体的烧结 |
| 2.4 烧结的影响因素 |
| 2.4.1 粉末粒度 |
| 2.4.2 成形过程 |
| 2.4.3 烧结助剂 |
| 2.5 氮化铝导热机理及影响因素 |
| 2.5.1 导热机理 |
| 2.5.2 影响因素 |
| 2.6 溶液燃烧合成 |
| 2.6.1 溶液燃烧合成的原理 |
| 2.6.2 溶液燃烧合成的研究进展 |
| 3 研究内容及技术路线 |
| 3.1 研究内容 |
| 3.2 技术路线 |
| 4 溶液燃烧合成制备超细氮化铝粉末的研究 |
| 4.1 实验过程 |
| 4.2 燃烧气氛对前驱体的影响 |
| 4.3 碳热还原反应过程 |
| 4.4 碳热还原反应的热力学机制 |
| 4.5 烧结性能 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 溶液燃烧合成前驱体低温氮化的规律研究 |
| 5.1 实验过程 |
| 5.2 前驱体特性对碳热还原反应的影响 |
| 5.3 前驱体中氧化铝晶型的转变规律 |
| 5.4 氮化铝颗粒形核和结晶规律 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 常压烧结氮化铝粉末的研究 |
| 6.1 实验过程 |
| 6.2 纳米氮化铝粉末常压烧结致密化 |
| 6.3 烧结助剂对纳米氮化铝粉末烧结的影响 |
| 6.4 压制压力对纳米氮化铝粉末烧结的影响 |
| 6.5 预处理对纳米氮化铝粉末烧结及性能的影响 |
| 6.6 本章小结 |
| 7 结论 |
| 8 主要创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（8）氮化铝粉末制备及注射成形研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 氮化铝陶瓷的性质 |
| 2.2 氮化铝陶瓷的导热机理及影响因素 |
| 2.2.1 氮化铝陶瓷的导热机理 |
| 2.2.2 影响氮化铝陶瓷热导率的因素 |
| 2.2.3 提高AlN陶瓷热导率的途径 |
| 2.3 氮化铝粉末的制备 |
| 2.3.1 直接氮化法 |
| 2.3.2 碳热还原法 |
| 2.3.3 自蔓延高温合成法 |
| 2.3.4 化学气相沉积法 |
| 2.4 碳热还原前驱物制备氮化铝粉末 |
| 2.4.1 低温燃烧合成前驱物制备氮化铝粉末 |
| 2.4.2 沉淀前驱物制备氮化铝粉末 |
| 2.5 氮化铝粉末改性 |
| 2.6 氮化铝陶瓷成型 |
| 2.6.1 干压成型 |
| 2.6.2 等静压成型 |
| 2.6.3 流延成型 |
| 2.6.4 注射成形 |
| 2.7 氮化铝陶瓷的烧结 |
| 2.7.1 常压烧结法 |
| 2.7.2 热压烧结 |
| 2.7.3 放电等离子体烧结 |
| 2.7.4 微波烧结 |
| 3 研究内容及技术路线 |
| 3.1 研究内容 |
| 3.2 技术路线 |
| 4 氮化铝粉末的制备 |
| 4.1 实验原料与实验方案 |
| 4.1.1 实验原料与实验设备 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.1.3 分析测试 |
| 4.2 碳源分散性的影响 |
| 4.3 滴定方式的影响 |
| 4.4 溶液pH值的影响 |
| 4.5 铝源(NH_4Al(SO_4)_2)浓度的影响 |
| 4.6 碳酸氢铵与硫酸铝铵配比的影响 |
| 4.7 酒精洗涤的影响 |
| 4.8 氮化过程中前驱物的相转变 |
| 4.9 合成氮化铝的颗粒调控 |
| 4.10 本章结论 |
| 5 氮化铝粉末改性与造粒 |
| 5.1 氮化铝粉末抗水化改性 |
| 5.1.1 实验原料和实验方法 |
| 5.1.2 粉末处理前后表面形貌与相变化 |
| 5.1.3 pH值随时间的变化 |
| 5.1.4 氮化铝粉末物相随时间的变化 |
| 5.2 氮化铝粉末喷雾造粒 |
| 5.2.1 实验原料和实验方法 |
| 5.2.2 AlN原料粉末特征 |
| 5.2.3 球磨混合时间的确定 |
| 5.2.4 AlN料浆的流变特性 |
| 5.2.5 AlN粉末喷雾造粒 |
| 5.2.6 AlN造粒粉末的成形与烧结 |
| 5.3 本章结论 |
| 6 氮化铝粉末注射成形 |
| 6.1 实验原料和实验方法 |
| 6.1.1 原料的选择 |
| 6.1.2 实验过程 |
| 6.1.3 分析测试 |
| 6.2 氮化铝喂料的研究 |
| 6.2.1 喂料临界装载量的确定 |
| 6.2.2 喂料的粘度 |
| 6.2.3 氮化铝喂料的粘度与剪切速率之间的关系 |
| 6.2.4 喂料的粘度与温度的关系 |
| 6.2.5 喂料的综合流动性 |
| 6.3 AlN注射成形工艺参数的选择 |
| 6.4 脱脂工艺的研究 |
| 6.5 注射成形AlN陶瓷的烧结 |
| 6.6 氮化铝陶瓷热导率的调控 |
| 6.7 本章结论 |
| 7 结论 |
| 8 创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（9）Al2O3/YSZ及Si3N4陶瓷的放电等离子烧结及力学性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及意义 |
| 1.2 氧化锆性质概述 |
| 1.3 氧化锆复合陶瓷粉末的制备方法 |
| 1.4 氮化硅性质概述 |
| 1.5 陶瓷材料的烧结方法 |
| 1.6 提高陶瓷力学性能的途径 |
| 1.7 本文的研究工作 |
| 1.7.1 研究目的 |
| 1.7.2 研究思路及主要的研究内容 |
| 1.7.3 本论文的创新点 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 陶瓷制备工艺 |
| 2.3.1 Al_2O_3/YSZ复合粉末的制备及其放电等离子烧结 |
| 2.3.2 氮化硅陶瓷的放电等离子烧结方法 |
| 2.4 实验测试分析方法 |
| 2.4.1 XRD分析 |
| 2.4.2 微观形貌SEM分析 |
| 2.4.3 密度测试 |
| 2.4.4 硬度测试 |
| 2.4.5 断裂韧性测试 |
| 2.4.6 热导率测试 |
| 第3章 Al_2O_3/YSZ复合粉末的放电等离子烧结研究 |
| 3.1 商用钇稳定氧化锆粉末的放电等离子烧结工艺优化 |
| 3.1.1 烧结温度的优化 |
| 3.1.2 烧结压力的优化 |
| 3.1.3 烧结时间的优化 |
| 3.2 Al_2O_3/YSZ复合粉末的机械混合制备及其烧结研究 |
| 3.3 Al_2O_3/YSZ复合粉末的化学共沉淀制备及其烧结研究 |
| 3.4 两种制备方法得到样品的密度、硬度及断裂韧性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Al_2O_3/YSZ为助烧剂的Si_3N_4陶瓷放电等离子烧结研究 |
| 4.1 物相与显微组织分析 |
| 4.2 密度分析 |
| 4.3 硬度与断裂韧性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Al_2O_3-AlN-Yb_2O_3为助烧剂的β-Sialon两步法放电等离子烧结研究 |
| 5.1 物相及显微组织分析 |
| 5.2 密度分析 |
| 5.3 硬度与断裂韧性分析 |
| 5.4 热导性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 添加TiC_(0.3)N_(0.7)对放电等离子烧结β-Sialon陶瓷性能的影响 |
| 6.1 物相及显微组织的影响 |
| 6.2 密度的影响 |
| 6.3 硬度与断裂韧性的影响 |
| 6.4 热导性能的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 第7章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
（10）适合于导热基板用AlN粉体的制备与表征（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 AIN粉体的研究背景 |
| 1.2.1 AIN粉体的晶体结构及性质 |
| 1.2.2 AIN粉末对陶瓷热导率的影响因素 |
| 1.2.3 AIN粉体的应用及发展现状 |
| 1.3 AIN粉体的制备方法 |
| 1.3.1 铝粉直接氮化法 |
| 1.3.2 碳热还原法 |
| 1.3.3 自蔓延高温合成法 |
| 1.3.4 化学气相沉积法 |
| 1.3.5 其它制备方式 |
| 1.3.6 氮化铝制备研究的新趋势 |
| 1.4 碳热还原反应的机理研究 |
| 1.5 选题的意义、研究内容及创新点 |
| 2 实验方法 |
| 2.0 实验方案 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 实验过程 |
| 2.4 性能表征 |
| 3 AIN粉体合成方法的初步探究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 结果与分析 |
| 3.2.1 温度对反应的影响 |
| 3.2.2 添加剂对反应的影响 |
| 3.2.3 碳铝比例对反应的影响 |
| 3.2.4 混合方式对反应的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 AIN粉体在不同设备上的制备 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 结果分析 |
| 4.2.1 管式炉的制备分析 |
| 4.2.2 箱式炉的制备分析 |
| 4.2.3 碳管炉的制备分析 |
| 4.2.4 推板窑的制备分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 AIN粉体在制备过程中的问题以及解决办法 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 结果与分析 |
| 5.2.1 气流量对氮化产生的影响 |
| 5.2.2 装料深度对氮化产生的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士/博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
四、等离子法制备氮化铝粉末原料的研究（论文参考文献）
- [1]可加工氮化硼系复相陶瓷的研究发展现状和发展趋势以及应用现状分析[J]. 江涛,韩慢慢,付甲. 现代技术陶瓷, 2021(04)
- [2]氮化铝粉末制备方法及研究进展[J]. 张智睿,秦明礼,吴昊阳,刘昶,贾宝瑞,曲选辉. 粉末冶金技术, 2021(04)
- [3]氮化铝粉末制备与应用研究进展[J]. 蓝键,马思琪,李邑柯,尹荔松. 陶瓷学报, 2021(01)
- [4]铝镁合金粉末原位合成AlN及其表征[D]. 闫长明. 西安理工大学, 2020(01)
- [5]铝基体热氮等离子体制备陶瓷强化层的微观组织和形成机理研究[D]. 辛伟达. 吉林大学, 2020(08)
- [6]氧化铝碳热还原氮化法制备氮化铝的机理研究[D]. 胥有利. 昆明理工大学, 2020
- [7]纳米氮化铝粉末的制备、烧结及性能研究[D]. 何庆. 北京科技大学, 2020(06)
- [8]氮化铝粉末制备及注射成形研究[D]. 鲁慧峰. 北京科技大学, 2020(06)
- [9]Al2O3/YSZ及Si3N4陶瓷的放电等离子烧结及力学性能的研究[D]. 李阳. 深圳大学, 2019(01)
- [10]适合于导热基板用AlN粉体的制备与表征[D]. 马丁. 北京交通大学, 2019(01)