一、半导体量子阱材料及其制备技术（论文文献综述）
赵博,赵凤岐[1]（2021）在《流体静压力对AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中磁极化子回旋频率与回旋质量的影响》文中认为运用Larsen的微扰方法,研究纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱与GaN/AlxGa1-xN方量子阱中磁极化子回旋频率与回旋质量随流体静压力、外磁场强度及组分的变化关系。在理论推导中,计入声子频率、介电常数、电子有效质量对压力P和坐标z的依赖性,并考虑其各向异性。结果显示,在外磁场强度不变的情况下,随着流体静压力的增加,在纤锌矿AlyGa1-yN/Al0.3Ga0.7N三角量子阱与GaN/Al0.3Ga0.7N方量子阱中磁极化子回旋频率逐渐减小,回旋质量逐渐增大。在纤锌矿AlyGa1-yN/Al0.3Ga0.7N三角量子阱与GaN/Al0.3Ga0.7N方量子阱（压力为定值）中,磁极化子回旋频率随外磁场强度的增大而增大;三角阱（方阱）中的磁极化子回旋质量随外磁场强度的增大逐渐增大。当组分作为变量时,随着组分的变化,AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角阱中磁极化子的回旋频率与回旋质量变化较大而GaN/AlxGa1-xN方阱中的变化较小。AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中的磁极化子回旋频率比GaN/AlxGa1-xN方量子阱中的小,而三角量子阱中的磁极化子回旋质量比方量子阱中的大。
汪召明[2]（2020）在《一种新型压电式风能采集器及其接口充电电路的设计与研究》文中进行了进一步梳理针对当前风能采集器低风速下输出效率较低的问题,文中提出了一种采用半环形钝体结构的新型压电式风能采集器,其由矩形压电悬臂梁与安装在悬臂梁自由端上的半环形截面钝体组成。与传统的圆形、长方形截面钝体相比,半环形截面钝体由于特殊的凹面结构而具有更强的风流阻碍作用,导致半环形钝体附近流场更紊乱,压力场梯度更大,从而钝体及压电悬臂梁发生的驰振更强烈,输出电压更高。利用有限元法分别仿真分析了半环形、圆形、矩形截面钝体周围流场的风速及压力分布。分析结果表明,半环形截面钝体附近具有更强的紊乱流场及更大的压力梯度。为验证文中提出方案的先进性,实验分别测试了在0～6.5m/s风速下采用半环形、圆形、矩形钝体的压电式风能采集器的输出特性。实验结果表明,文中提出的采用半环形钝体的压电式风能采集器具有更高的输出电压及功率。当风速较低为2m/s时,其最优输出功率分别是采用圆形、矩形钝体的压电式风能采集器的6.4倍和4.8倍;当风速为6.5m/s时,采集器在最优负载140kΩ下,最大输出功率为0.482mW。不仅如此,本文还详细分析四种接口电路的基本原理,利用Multisim仿真软件建立了四种接口电路的仿真模型,对比了四种接口电路带负载时的输出特性和充电效率,并设计了自感知型同步电荷提取接口充电电路,其充电效率是标准接口充电电路的5.6倍。文中提出的采集器结构还可应用于波浪能采集、风速测量等领域。
李圣洁[3]（2020）在《钴金属配位聚合物和配体修饰的硫化镉量子点的制备及其光催化二氧化碳还原性能》文中研究表明利用光催化技术将CO2转化为CO或其它有机物（CH3OH,CH3COOH,C4H4等）是目前解决能源短缺与气候问题最理想的方法之一。在过去几十年中,科学家们做了大量的研究工作,以试图开发高效、稳定、并且成本低廉的催化剂。但是,对于光催化CO2还原系统,仍然存在一些问题:其一,催化产物种类多样化,导致某单一产物选择性低;其二,贵金属的大量使用限制了其大规模应用。围绕上述两个问题,本文分别设计并构筑了两个光催化CO2体系,主要研究内容和结论如下:1.以提高光催化CO2还原活性和选择性,降低催化剂成本为导向,本文选择具有伯、仲、叔胺官能团的聚乙烯亚胺作为聚合物配体,与非贵金属钴离子配位交联,得到具有多个钴活性中心的非均相配位聚合物PEI6-Co。CO2吸附以及红外光谱表征证明该配位聚合物对二氧化碳具有富集作用,从而为进行二氧化碳还原反应奠定基础。进一步光催化CO2还原实验表明,PEI6-Co是一种优秀的非均相催化剂,在含水介质中CO转化率可达1170 mmol?g-1,选择性为95%。该催化性能是单核钴催化剂（Co L1）的2.8倍,催化活性可以与双核钴催化剂（Co2L）相媲美。2.以CdS量子点为模型,本文系统研究了CdS-MPAx表面配体数量与光催化CO2还原性能之间的关系。对于不同配体数量的CdS-MPAx,结合紫外可见光谱（UV-vis）与核磁共振技术（NMR）,分别计算了每个CdS-MPAx表面配体的平均数量。进一步光催化CO2还原实验表明:随着硫化镉量子点表面配体数量增多,其在CdS-MPA/Co2L’组装体系中对于CO的选择性呈抛物线型变化规律,且当每个硫化镉量子点表面有200个左右巯基丙酸配体时,催化效果最佳。
郭子慧[4]（2020）在《高亮度磷化铟与白光镉基半导体量子点的一锅法制备及表征》文中研究说明量子点这一概念被确立已有几十年历史了,在元素选择及制备方法上创新点层出不穷。前人对制备方法的探究上,已经进行了许多尝试,本论文在对一锅法制备量子点的一些工艺进行改进的同时,对其现象产生的原因也进行了分析。本论文的主要工作如下:（1）一锅法低毒高亮度磷化铟量子点的制备:通过研究成核时加入Zn对In P核成核影响、不同成核时间对量子点荧光效率的影响以及不同包壳原料及厚度对荧光效率的影响,优化出一种制备In P/Zn S核壳量子点的制备流程,最终获得了发光效率高达50%以上的磷化铟量子点。（2）一锅法白光量子点的制备:通过调配各反应物之间的摩尔量经非热注入法合成了具有不同荧光峰型的核壳结构的量子点,其颜色具有可控性,并最终制备出具有三个荧光峰的纯白光的量子点。
徐源[5]（2018）在《变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极研制与光电发射性能评估》文中进行了进一步梳理光电阴极的研究正朝着宽光谱蓝延伸及特定带宽和峰值光谱响应特性的方向发展,在此背景下,本文提出了变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的设计方案,并围绕其光电发射理论、量子效率模型、材料的结构设计、激活制备工艺及阴极的光电发射性能评估等方面开展了系统化的研究。针对变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极能带结构的特点,在阴极表面Cs、O吸附双偶极子模型的基础上,利用Toping模型计算并比较了吸附在GaAlAs（100）和GaAs（100）表面Cs的覆盖度与电子亲和势的变化。根据薄膜光学矩阵理论建立了GaAlAs/GaAs光电阴极的光学性能计算模型。围绕Spicer光电发射“三步物理模型”,对电子的基态和受激态采用量子力学进行分析,计算了光电阴极从光电子受激跃迁、光电子在阴极体内的输运及光电子越过表面能带弯曲区并隧穿表面势垒逸出到真空的电子能量分布,并通过设定合适的边界条件求解阴极内部一维少子连续性方程,推导了变组分变掺杂宽带蓝延伸和窄带响应GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率公式。根据GaAlAs/GaAs异质结的电子亲和势模型,分析了异质结的界面势垒。通过GaAlAs材料Al组分变化时引起的能带结构变化,研究了变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的能带结构模型和内建电场,以及它们对光电子的影响。针对不同应用需求,分别进行宽带蓝延伸和窄带响应GaAlAs/GaAs光电阴极结构设计与材料外延生长,最后通过电化学-电容电压（ECV）及扫描电子显微镜（SEM）分别测试了光电阴极样品内的载流子分布情况及表面形貌,对样品质量进行了评估。利用X射线光电子能谱（XPS）和Ar+溅射表面测试技术,对GaAlAs光电发射材料的表面化学清洗工艺进行研究,比较了不同清洗方法条件下的阴极表面C和O杂质的含量及量子效率的高低,发现“两步化学清洗法”不仅能有效地去除样品表面的氧化物,而且能去除一定的C杂质。通过研究高温加热净化温度和Cs/O激活电流比对光电阴极的影响,发现高温加热可以进一步脱附样品表面的C杂质,并且光电阴极对Cs、O激活电流非常敏感,Cs/O电流比过大或过小都会直接造成光电流的衰减。基于负电子亲和势（NEA）光电阴极激活及多信息量原位表征系统,对本文设计并外延的三种不同结构的阴极样品进行制备和测试,并对试验数据进行了参数拟合,充分结合试验和拟合结果对样品的光电发射性能进行了评估。通过Cs、O激活实验和重新铯化实验研究了Cs、O吸附及重新铯化对光电阴极稳定性的影响,发现窄带响应GaAlAs光电阴极表面由于容易形成稳定的Al-O键而具有更好的稳定性和重复性。通过试验发现光电阴极的表面禁带宽度变窄,并在此基础上对光电阴极量子效率曲线的“红移”现象进行了解释。
郑定山[6]（2017）在《可见—近红外半导体纳米线光电探测器的光电调控新机理研究》文中研究指明一维半导体纳米线由于具有尺寸小、比表面积大、载流子迁移率高以及可调光吸收等特点而展现出优异的光电特性,比如超高内禀光电增益、多阵列限光效应以及亚波长尺寸效应等,在室温光电探测领域具有广泛的应用前景。然而,纳米线在制备过程中不可避免的引入非故意掺杂或缺陷,从而会诱导高浓度的背景载流子,导致纳米线光电探测器的暗电流偏高以及探测率偏低,严重限制了器件的探测性能。本论文采用化学气相沉积方法生长制备了 InP、CdS、SnSe及SnS等多种一维半导体纳米线,并研制了基于这些纳米线的光电探测器。论文在一维纳米线的可控制备、器件的暗电流抑制以及光电性能调控等方面进行了系统的探索和研究,所取得的主要研究成果可归纳如下:1.一维磷化铟纳米线的可控制备及其光电探测器的研制。采用化学气相沉积（CVD）法生长了 InP纳米线,并制备了单根InP纳米线背栅场效应晶体管,测试和研究了器件的电学和光电特性。器件显示了良好的栅极调控,开关比超过106,场效应迁移率可达67.9 cm2 V-1-1。然而,暗电流较大限制了器件的探测能力。为了抑制暗电流,我们利用铁电材料结合纳米线制备了具有侧栅结构的超强铁电侧栅单根InP可见-近红外纳米线光电探测器。利用P（VDF-TrFE）铁电聚合物负向极化所产生的超高静电场来完全耗尽纳米线沟道中的背景载流子,可明显降低探测器在无栅压下的暗电流,从而提高探测灵敏度。器件在耗尽后,暗电流可降至8 ×10-12A,光电流开关比达105,耗尽后器件的探测率相比于耗尽前提高了约500倍。当入射光波长为830 nm以及光照功率为0.07 mW cm-2时,器件的光电导增益达到4.2 × 105,光响应率达2.8 × 105 A W-1,探测率最高可达9.1×1015 Jones,响应时间即上升时间和下降时间分别为29.1ms和139.6ms。该工作展示了一种制备可控的、全耗尽、高性能及低功耗纳米线光电探测器的新方法,为室温高性能纳米线光电器件的结构设计和性能改进提供了一种全新思路。2.一维硫化镉纳米线的可控制备及其光电探测器的研制。采用CVD法生长了大面积的CdS纳米线,并研制了单根CdS纳米线FET。单根CdS纳米线FET器件显示了良好的栅极调控,开关比大于107,场效应迁移率高达112 cm2 V-1 s-。制备了铁电聚合物侧栅单根CdS纳米线紫外-可见光光电探测器。通过铁电聚合物负向极化所产生的超强静电场完全耗尽了 CdS纳米线沟道中的背景载流子,从而显着降低了器件在无栅压下的暗电流。分析和讨论了器件的噪声来源及噪声等效功率,并测试了其低频噪声功率谱。通过微区光电流mapping扫描测试获得了金属电极接触附近产生的光电流信号。在1 V偏压下,器件的低频噪声电流功率低至4.6xl0-28A2。在紫外375nm光照下,器件实现了超高的紫外光电导增益为8.6x 105,响应率为2.6×105x W-1,探测率达2.3× 1016Jones。在可见光520 nm光照下,器件显示了更高的光电导增益为1.2 × 1O7,光响应率为5.2 ×1O6A W-1,探测率高达1.7 ×1018 Jones,其探测率远高于传统的CdS纳米结构光电探测器的探测率。此外,该器件还具有低功耗、快速响应及微弱信号探测等特点。结果表明,CdS纳米线器件在未来可控制备、高性能、低功耗以及微弱信号探测等光电探测领域将具有广泛的应用前景。3.一维硒化锡和硫化锡纳米线的可控制备及其光电探测器的研制。采用CVD法生长了 p型窄带隙半导体SnSe和SnS纳米线,并制备了单根SnSe和SnS纳米线光电探测器。单根SnSe及SnS纳米线场效应晶体管均表现出典型的p型半导体特性,空穴迁移率分别达5.6和0.5 cm2 V-1 s-1。在近红外830 nm光照下,偏压为3 V及光照功率为0.05 mW cm-2时,单根SnSe纳米线光电探测器的光电导增益达到了 1.5×104,响应率为1.O×104AW-1,探测率可达3.3×1012Jones,其响应上升时间和下降时间分别为460和520μs 单根SnS纳米线器件的光电导增益可达2.8×104,响应率为1.6×104AW-1,探测率可达2.4×1012Jones,上升和下降时间分别为1.2和15.1 ms。此外,单根SnSe及SnS纳米线器件在从可见光到近红外波段均显示了良好的光谱响应特性,可实现高性能宽谱探测。结果表明,p型SnSe和SnS纳米线在未来高灵敏度、快速响应以及宽谱探测等高性能光电探测器和其他光电器件应用中具有广阔的应用前景。
李娟[7]（2015）在《独立量子阱中声学极化子及其自陷转变》文中研究说明纳米技术快速发展,极大地推进了人们对低维系统的广泛研究。据现有技术,已经可以制备出性能良好的量子线、量子阱、量子点等低维半导体量子结构材料。在这些材料中不仅电子受限,而且声子系也受到调制。这种特殊的结构将导致其与三维体材料在某些性能上有很大的不同,例如：光电材料的光电性质、能量的输运特性等等。所以对低维半导体量子结构材料的研究具有意义。电子—声子相互作用是影响低维半导体材料物理性质的因素之一。本文主要研究独立量子阱中的声学极化子（由电子—声学声子耦合形成）及其自陷转变。采用Huybrechts变分法,首先求出独立量子阱中电子—声学声子相互作用的哈密顿量,其次对其进行两次幺正变换,进而引入坐标、动量线性算符,最后求得独立量子阱中声学极化子的基态能量及其一阶导数值,根据得到的结果探讨研究了独立量子阱中声学极化子自陷转变的相关问题。研究结果显示：独立量子阱中声学极化子基态能量随着电子—纵声学声子耦合常数的增大而减小,耦合到达某一强度时声学极化子基态能量随电子—纵声学声子耦合常数变化的曲线上出现拐点,此点为电子从自由态向自陷态转变的“转变点”,并将相应的电子—声子耦合常数称为临界耦合常数。当量子阱阱宽一定时,临界电子—声子耦合常数对应拐点的位置随声子截止波矢的增大向着电子—声子耦合较弱的方向移动,而且临界电子—声子耦合常数与声子截止波矢的乘积趋于一个定值,可以将这个定值当做判断声学极化子自陷的判据,用来判别声学极化子自陷的难易程度。由此断定独立量子阱中声学极化子的自陷难易程度处于二维情况和三维情况之间,而且随着阱宽的增大,独立量子阱中声学极化子自陷的难度在增大。此外发现独立量子阱中声学极化子的自陷转变,不仅与量子阱结构（阱宽）有关系,而且也与材料自身（拉曼常数）有一定的关系。运用本文计算得到的独立量子阱中声学极化子自陷的判断标准,理论判断了实际材料中声学极化子的自陷。结果表明：声学极化子很难在碱卤化物和GaN材料的独立量子阱结构中发生自陷转变,但是声学极化子在AlN材料的独立量子阱结构中有可能自陷。该研究结果对设计和制造量子阱器件有指导意义。
郭立强[8]（2012）在《纳米硅薄膜太阳电池优化研究》文中提出硅太阳电池在迅速发展的光伏发电技术领域中一直占据着主导地位,尤其单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池更被视为了太阳电池的主流产品,但由于其价格昂贵和材料短缺已不能满足经济社会快速发展的需求。目前第二代硅薄膜型太阳电池逐渐成为硅太阳电池应用和发展的主流,然而非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜等太阳电池均存在不同程度的光致衰退效应,也不可能产生“多重激发,,效应,因此在理论和实践上都无法突破太阳电池的Shockley Queisser极限（32.8%）效率。随着纳米科学技术和纳米光电子技术的兴起和发展,人们已认识到利用纳米材料所具有的独特性能设计和研发太阳电池,是突破“低转换效率、高制造成本、短使用寿命和低稳定性”太阳电池瓶颈的唯一途径。迄今为止,纳米硅薄膜方面研究虽然已很多,但对纳米硅薄膜沉积机制、微结构特征、光学特性、电学特性和力学特性仍未形成统一认识,这一问题严重阻碍了纳米硅薄膜材料及其太阳电池的进一步研发。论文从硅薄膜材料入手,主要对纳米硅薄膜太阳电池窗口层和光吸收层进行了理论研究和实验研究。通过给等离子体化学气相沉积系统施加直流负偏压的方法对纳米硅薄膜的制备方法进行了改进与完善,深入地分析了纳米硅薄膜的制备工艺及其沉积机制；利用原子力显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪研究了纳米硅薄膜的表面形貌特征和微结构特征；采用傅立叶变换红外光谱研究了纳米硅薄膜的组态特征；使用紫外-可见光透射光谱仪、四探针电阻测试仪和纳米压痕仪分别对薄膜的光学特性、电学特性和力学特性进行了较为系统地研究,获得的主要研究内容和成果包括以下几个方面：首先,实验发现纳米硅薄膜正常生长时反应基团的成核与结晶过程受到硼掺入的影响而导致薄膜中形成大量不完整的细微硅晶粒。硼烷和硅烷之间的浓度比例由2%增加5%时,掺硼纳米硅薄膜的晶态比和晶粒平均尺寸分别由40.5%和4.7nm减少到32.0%和2.3 nm,说明其微结构向非晶态过渡。经过退火处理后,晶粒分布有序性增加,表现出较高的电导率和较宽的光学带隙特征,因此掺硼纳米硅薄膜是替代掺硼非晶硅薄膜作为太阳电池窗口层的可选择性材料。第二,基于等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的特点,论文分析了衬底温度、射频功率、直流负偏压和硅烷浓度等关键工艺参数对本征纳米硅薄膜微结构和光学特性的影响。实验中发现氢原子可饱和薄膜中的部分悬挂键而形成Si-H键。薄膜的致密程度、键畸变程度和悬挂键数目与其晶态比有关。提高晶态比可使一部分带尾态和带隙态分别转化为扩展态或消失。晶态比还影响了氢原子溢出的程度和Si-H键的数目而造成光学带隙随晶态比增大而呈下降趋势。此外,研究还发现纳米硅薄膜中Si-Si键受氢原子的影响而造成薄膜的光学带隙由间接带隙向直接带隙发生转变,表明薄膜的光学带隙与硅氢键合模式紧密相关。氢的掺入将引起薄膜价带产生化学位移导致价带移向更低的能量状态；氢原子有利于提高非晶硅网络中纳米结构的有序性,并有效地降低硅薄膜中存在的悬挂键缺陷态密度,从而减少带隙中非辐射复合中心。第三,纳米硅薄膜中存在多种形式的硅氢键组合模式,这些组合分别对应傅立叶变换透射光谱中不同的振动模峰。双峰高斯拟合仅考虑SiH、SiH2的贡献,忽略了SiH3键合模式,在计算纳米硅薄膜的氢含量、结构因子和化学键合力学常数时存在一定的误差。论文提出了三峰高斯拟合计算法,该计算法可较准确地得出纳米硅薄膜的氢含量、结构因子和化学键合力学常数,基于此方法论文分析了薄膜化学组分上对纳米硅薄膜光学带隙的影响,得出薄膜中各种化学键、基团结构和内应力等因素的综合作用是造成薄膜光学带隙差异性的原因的结论。第四,据于实验结果,利用等效方法建立了纳米硅薄膜的光学模型,对薄膜的吸收系数和光学带隙进行了计算,将计算结果与实验结果进行了比较；对实验结果与模拟结果存在差异的原因进行了分析,并给出了合理解释。在理论上得出了晶态比、晶粒平均尺寸与薄膜光学带隙的定量变化关系表达式。最后,氢稀释比是影响纳米硅薄膜表面形貌特征和力学特性的关键因素之一。实验发现适当控制氢稀释比,可促进薄膜成核率,氢原子在薄膜表面移动（刻蚀）硅原子后使得硅原子之间形成刚性的晶态结构,因此有效地降低了薄膜表面粗糙度,还可提高薄膜的弹性模量和硬度值。同时纳米硅薄膜生长过程亦是一个晶态比不断提高的过程,因此压入薄膜内部深度越大,得到的弹性模量和硬度值越小。以上研究不仅对纳米硅薄膜沉积机制、微结构、光学特性、电学特性以及力学特性等形成了系统认识,也为纳米硅薄膜太阳电池进一步地应用提供了理论基础和基本依据。
尚杰[9]（2010）在《铁电氧化物薄膜的制备及其激光感生电压效应》文中研究指明铁电薄膜是一类重要的功能薄膜材料,对其制备工艺进行研究,是集成铁电学发展的基础。本论文主要围绕四种钙钛矿型铁电氧化物（1-x）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3—xPbTiO3 （PMNT或PMN-PT）、Pb（ZrxTi1-x）O3 （PZT）、（Na1-xKx）0.5Bi0.5TiO3 （NKBT或NBT-KBT）和BaxSr1-xTiO3（BST）薄膜的脉冲激光沉积（PLD）工艺,以及薄膜中的激光感生电压（LTV）效应（后经验证该效应为热电效应,即激光感生热电电压效应（LITV））进行研究。获得的一些结果概括如下：一、通过一系列优化实验成功制备出了不含焦绿石相的PMNT铁电薄膜材料,并首次在此类薄膜中发现了LITV效应。具有钙钛矿结构的PMNT铁电薄膜在生长过程中,经常会产生一定量的焦绿石相,即生长的薄膜是由钙钛矿结构和焦绿石结构的混合相组成。钙钛矿相具有优越的铁电特性,而焦绿石相因结构是中心对称的则无此特性。因此,焦绿石相的存在会大大恶化PMNT铁电薄膜的铁电性能。文中通过一系列的优化实验,分别研究了各个工艺参数对薄膜生长的影响,包括沉积温度、沉积氧压、后退火、降温速率、脉冲激光能量以及频率等,结果发现各个工艺参数对薄膜生长都有着不同程度的影响,其中沉积温度的影响最大。对于不同组份的PMNT薄膜沉积温度大都不同,且纯钙钛矿相薄膜的生长温度范围很窄,大约在±2℃的范围以内。这样苛刻的生长条件在其它薄膜中是很少见的,这可能也是一直以来PMNT铁电薄膜利用PLD技术难以制备的主要原因。另外,在PMNT铁电薄膜中还首次发现了LITV效应。其中,在波长为248nm的紫外脉冲激光的辐照下0.50PMN-0.50PT薄膜中的LITV信号相对较好。二、首次研究了掺杂元素对PZT铁电薄膜中LITV信号的影响,结果发现某些掺杂元素（如Na）的引入可以明显增大薄膜中的LITV信号。通过研究组份和掺杂元素对信号大小的影响发现,在能量为0.16J/cm2的紫外脉冲激光辐照下,Pb（Zr0.03Ti0.97）O3铁电薄膜中的LITV信号最大,峰值电压为60mV,而在Pb（Zr0.53Ti0.47）O3铁电薄膜中,掺杂元素Na时LITV信号最大,峰值电压为61mV。这与不掺杂的Pb（Zr0.53Ti0.47）O3铁电薄膜中的LITV信号（峰值电压为41mV）相比,其峰值电压增大了近1/2倍。三、研究了衬底对NKBT铁电薄膜结晶质量的影响,并在20°倾斜的铝酸锶钽镧单晶衬底上生长的薄膜中首次发现了LITV效应。分别在LaA103 （LAO）、（La,Sr）（Al,Ta）O3 （LAST）及SrTiO3（STO）三种不同的单晶平衬底上制备了一系列无铅NKBT外延铁电薄膜。摇摆曲线的半高宽（FWHM）显示在LAST单晶衬底上生长的薄膜结晶质量最好。另外,在20°倾斜的（La,Sr）（Al,Ta）O3单晶衬底上生长的（Na1-xKx）0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜中还首次观察到了LITV信号。发现在能量为0.48mJ/pulse的紫外脉冲激光辐照下,其最大激光感生电压为31mV。四、研究了氧压对Ba0.6Sr0.4TiO3铁电薄膜晶格常数的影响,制备出了表面最大均方根粗糙度仅为0.3048nm的BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格,并在倾斜单晶衬底上制备的不同周期BaTiO3Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格中还首次发现了在单层膜及[（SrTiO3）15s/（Ba0.6Sr0.4TiO3）7.5s]20和[（BaTiO3）15s/（SrTiO3）7.5s]20超晶格中都没有发现的LITV效应。经一系列的优化实验,首先成功地制备了不同组分的BaxSr1-xTiO3外延膜。随着氧压在10-3-25 Pa范围内逐渐增大,Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的晶格常数与氧压之间近似满足Boltzmann函数关系。其次,在此优化条件下还制备出了高质量的BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格,AFM测试结果表明BaTiO3/Ba0.6Sro.4TiO3超晶格的最大均方根粗糙度仅为0.3048nm,薄膜表面达到了原子尺度的光滑。另外,在超晶格的X射线衍射（XRD）图谱中还清楚地观察到了卫星峰,根据（002）衍射峰周期调制的卫星峰计算了超周期,得到了BaTiO3和Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的沉积速率。最后,在倾斜单晶衬底上制备的BaTiO3/Ba0.6Sr04TiO3超晶格中还首次发现了在单层膜及[（SrTiO3）15s/（Ba0.6Sr0.4TiO3）7.5s]20和[（BaTiO3）15s/（SrTiO3）7.5s]20超晶格中都没有发现的LITV效应。
刘东明[10]（2009）在《抛物势下脱离中心带负电荷的施主量子点的理论研究》文中进行了进一步梳理半导体量子点是一种三维受限的低维半导体量子结构,具有量子尺寸约束、量子隧穿、库仑阻塞等特殊物理效应,是近年来国内外凝聚态物理研究的一个热点问题,在理论和实验上都受到了广泛关注。本文在有效质量近似条件下,利用矩阵对角化的方法和Talmi-Moshinsky系数研究了脱离中心施主杂质量子点的束缚能。我们进一步讨论了束缚势、杂质离子的位置D和电场对施主杂质量子点束缚能的影响,而且结果也说明了所谓的量子尺寸效应。全文共分为五章。第一章,绪论。介绍了半导体量子点系统目前国内外研究的进展,半导体量子点的制备方法,量子点系统所具有的一些特性,比如表面效应,尺寸效应,库仑阻塞效应等,以及量子点半导体材料在各个领域中的应用。并简要介绍了本文的研究方法及研究内容。第二章,关于理论模型和方法,具体介绍了谐振子乘积基展开法,推导了三维N体系统的Talmi-Moshinsky变换系数和三维三体系统的Talmi-Moshinsky变换系数。第三章,我们采用精确对角化的方法,对抛物势下脱离中心带负电的施主量子点进行了研究。计算了系统基态的束缚能,它们与限制势的强度之间存在一定的函数关系。我们发现,杂质的位置对系统的束缚能有一定的影响。这种现象我们可以通过量子限制效应来解释。而且,我们对脱离中心带负电的施主杂质D-和中性杂质D0进行对比。通过比较揭示了束缚势、杂质位置对脱离中心带负电的施主量子点系统束缚能的影响。第四章,抛物势场下电场对脱离中心施主杂质量子点束缚能的影响,研究了处于外加电场中、束缚势为抛物势的GaAs/AlAs量子点中施主杂质系统的束缚能。我们发现位于任何位置的杂质束缚能强烈取决于杂质的位置。此外,对于限制在大半径的量子点,电场会较大程度地改变杂质基态的束缚能。通过对中心和脱离中心杂质量子点系统束缚能的特征曲线进行比较,揭示了外加电场、杂质位置对施主量子点系统束缚能的影响,同时阐明了与量子点尺寸的关系,给出了它们定性和定量上的异同。第五章,总结全文主要计算结果及研究结论,指出不足之处并作出展望。
二、半导体量子阱材料及其制备技术（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、半导体量子阱材料及其制备技术（论文提纲范文）
（1）流体静压力对AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中磁极化子回旋频率与回旋质量的影响（论文提纲范文）
| 1 理论推导 |
| 1.1 磁极化子哈密顿量 |
| 1.2 理论推导 |
| 2 结果与分析 |
| 3 结论 |
（2）一种新型压电式风能采集器及其接口充电电路的设计与研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究的目的和意义 |
| 1.2 能量采集技术研究现状 |
| 1.2.1 太阳能采集技术 |
| 1.2.2 热能采集技术 |
| 1.2.3 电磁能采集技术 |
| 1.2.4 振动能采集技术 |
| 1.2.5 风能采集技术 |
| 1.3 风能采集技术研究现状 |
| 1.4 接口电路的研究现状 |
| 1.5 本文主要工作 |
| 第2章 新型压电式风能采集基础理论 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 风致振动 |
| 2.2.1 弛振效应的基本原理 |
| 2.2.2 涡激振动原理 |
| 2.2.3 颤振原理 |
| 2.3 压电理论 |
| 2.3.1 压电效应 |
| 2.3.2 压电材料种类及特性分析 |
| 2.3.3 压电材料的性能参数 |
| 2.3.4 压电材料的工作模式 |
| 2.4 压电元件 |
| 2.4.1 压电元件材料选取 |
| 2.4.2 压电元件固定方式 |
| 2.4.3 压电元件的谐振特性 |
| 2.5 风能采集器接口电路 |
| 2.5.1 标准接口电路 |
| 2.5.2 同步电荷提取接口电路 |
| 2.5.3 并联同步电感接口电路 |
| 2.5.4 串联同步电感接口电路 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 新型压电式风能采集器设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 采用半环形截面钝体的新型压电式风能采集器结构设计 |
| 3.3 不同截面钝体在风场中受力情况的仿真分析 |
| 3.3.1 仿真软件介绍 |
| 3.3.2 仿真设置 |
| 3.3.3 仿真结果分析 |
| 3.4 风致振动能量采集器电输出特性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 新型压电式风能采集器性能测试与结果分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 采用半环形截面钝体结构的新型压电式风能采集器制作 |
| 4.3 新型压电式风能采集器测试系统 |
| 4.4 新型压电式风能采集器实验测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 新型压电式风能采集器接口充电电路的设计 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 风能采集器等效电路模型 |
| 5.3 四种风能采集器接口电路仿真及结果 |
| 5.3.1 四种接口电路带负载时电路仿真及结果 |
| 5.3.2 四种接口电路充电性能对比 |
| 5.4 自感知型同步电荷提取接口充电电路 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（3）钴金属配位聚合物和配体修饰的硫化镉量子点的制备及其光催化二氧化碳还原性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光催化CO_2还原简介 |
| 1.2.1 CO_2分子结构特性 |
| 1.2.2 光催化CO_2还原过程 |
| 1.2.3 光催化CO_2还原性能评价 |
| 1.3 光催化性能优化策略 |
| 1.3.1 调控能带结构 |
| 1.3.2 设计纳米结构 |
| 1.3.3 缺陷调控 |
| 1.3.4 负载助催化剂 |
| 1.3.5 其他方法 |
| 1.4 半导体量子点概述及其光催化CO_2还原研究进展 |
| 1.4.1 半导体量子点简介 |
| 1.4.2 II-VI族半导体量子点研究进展 |
| 1.4.3 I-III-VI族半导体量子点研究进展 |
| 1.5 论文选题目的及其研究内容 |
| 1.5.1 论文选题目的和意义 |
| 1.5.2 论文研究思路和内容 |
| 第二章 过渡金属配位聚合物的制备及其光催化CO_2还原性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验药品 |
| 2.2.2 实验仪器与设备 |
| 2.2.3 PEI-Co的制备 |
| 2.2.4 单核钴(CoL~1)和双核钴(Co_2L)的制备 |
| 2.2.5 材料表征方法 |
| 2.2.6 光催化实验方法 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 PEI-Co催化剂结构表征 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱(XPS)表征 |
| 2.3.3 CO_2吸附测试 |
| 2.3.4 红外(IR)光谱测试 |
| 2.3.5 ICP-MS测试 |
| 2.3.6 光催化CO_2还原实验 |
| 2.3.7 质谱表征 |
| 2.3.8 紫外-可见(UV-vis)光谱表征 |
| 2.3.9 循环稳定性测试 |
| 2.3.10 荧光淬灭实验 |
| 2.3.11 CO_2还原为CO的动力学探究 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 CdS量子点表面配体数量对光催化CO_2还原产物选择性的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验药品 |
| 3.2.2 实验仪器与设备 |
| 3.2.3 硫化镉量子点的合成 |
| 3.2.4 硫化镉量子点的浓度计算 |
| 3.2.5 硫化镉量子点表面配体数量计算方法 |
| 3.2.6 水溶性双核钴(Co_2L’)的合成方法 |
| 3.2.7 光催化反应实验方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 硫化镉量子点的形貌表征 |
| 3.3.2 硫化镉量子点的相结构表征 |
| 3.3.3 硫化镉量子点表面配体数量计算 |
| 3.3.4 光催化CO_2还原测试 |
| 3.3.5 动态光散射(DLS)表征 |
| 3.3.6 X射线衍射光谱(XRD)表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 全文总结与展望 |
| 4.1 全文总结 |
| 4.2 全文展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 在学期间取得的科研成果和科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）高亮度磷化铟与白光镉基半导体量子点的一锅法制备及表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 半导体量子点 |
| 1.2 半导体量子点的光学性能 |
| 1.2.1 量子点中的纳米效应 |
| 1.2.2 半导体量子点的光学特性 |
| 1.3 半导体量子点的研究进展 |
| 1.3.1 半导体量子点的制备方法 |
| 1.3.2 纯白光量子点的研究进展 |
| 1.3.3 磷化铟量子点的研究进展 |
| 1.4 半导体量子点的应用 |
| 1.5 论文研究目的和研究内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 实验主要药品与试剂 |
| 2.2 表征方法 |
| 第三章 磷化铟量子点的制备及表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 加入Zn对磷化铟成核的影响 |
| 3.3.2 成核时间对磷化铟成核的影响 |
| 3.3.3 不同包壳原料对于发光效率的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 白光镉基量子点的制备与表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 纯白光量子点制备 |
| 4.2.2 表征方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 各反应物不同配比对量子点荧光峰的影响 |
| 4.3.2 不同反应温度对量子点荧光峰的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间取得的科研成果和科研情况说明 |
| 致谢 |
（5）变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极研制与光电发射性能评估（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 光电阴极及微光像增强器的发展概述 |
| 1.1.1 光电阴极的发展 |
| 1.1.2 微光像增强器的发展 |
| 1.2 GaAlAs/GaAs光电阴极的研究进展 |
| 1.2.1 国外GaAlAs/GaAs光电阴极研究进展 |
| 1.2.2 国内GaAlAs/GaAs光电阴极研究进展 |
| 1.3 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的主要应用 |
| 1.4 本文研究的背景和意义 |
| 1.5 本文研究的主要工作 |
| 2 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极光电发射理论和量子效率研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 GaAlAs/GaAs光电阴极材料的光学特性 |
| 2.2.1 GaAlAs/GaAs多层结构光电阴极的光学性能理论计算模型 |
| 2.2.2 Al组分对光电阴极光学性能的影响 |
| 2.2.3 GaAlAs/GaAs光电发射材料的第一性原理计算 |
| 2.3 NEA光电阴极的光电发射过程 |
| 2.3.1 光电子受激跃迁 |
| 2.3.2 受激光电子向光电阴极表面迁移 |
| 2.3.3 光电子逸出光电阴极表面 |
| 2.4 GaAlAs/GaAs光电阴极的光电发射表面分析 |
| 2.4.1 Ga_(1-x)Al_xAs(100)表面Cs-O双偶极层模型 |
| 2.4.2 GaAs(100)和GaAlAs(100)表面Cs吸附研究 |
| 2.5 GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率研究 |
| 2.5.1 变组分变掺杂宽带蓝延伸GaAlAs/GaAs光电阴极量子效率研究 |
| 2.5.2 变组分变掺杂窄带响应GaAlAs光电阴极量子效率研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的结构设计与材料外延 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs异质结和能带结构 |
| 3.2.1 GaAlAs/ GaAs材料的异质结结构 |
| 3.2.2 变组分变掺杂光电阴极的能带结构分析 |
| 3.3 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的结构设计 |
| 3.3.1 GaAlAs/GaAs光电阴极结构的设计流程 |
| 3.3.2 宽光谱蓝延伸光电阴极结构设计 |
| 3.3.3 窄带响应光电阴极结构设计 |
| 3.4 MOCVD和MBE外延材料掺杂结构的对比分析 |
| 3.4.1 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极材料的外延 |
| 3.4.2 通过MOCVD和MBE外延材料掺杂结构的对比分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的制备 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 GaAlAs/GaAs光电阴极的激活、制备与评估系统 |
| 4.2.1 NEA光电阴极材料表面分析系统 |
| 4.2.2 超高真空激活系统 |
| 4.2.3 多信息量原位表征系统 |
| 4.3 GaAlAs/GaAs光电阴极的表面净化及XPS分析 |
| 4.3.1 光电阴极表面化学清洗 |
| 4.3.2 光电阴极XPS表面分析与拟合 |
| 4.4 GaAlAs/GaAs光电阴极的Cs、O激活 |
| 4.4.1 光电阴极的高温加热净化 |
| 4.4.2 光电阴极的Cs、O激活 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极的性能评估 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 GaAlAs/GaAs光电阴极材料的质量评估 |
| 5.3 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的参数拟合与性能评估 |
| 5.3.1 不同化学清洗工艺处理后的样品光电发射性能 |
| 5.3.2 不同结构的GaAlAs/GaAs光电阴极光电发射性能评估 |
| 5.4 NEA GaAlAs/GaAs光电阴极的稳定性评估 |
| 5.4.1 表面Cs、O吸附对光电阴极稳定性的影响 |
| 5.4.2 窄带响应和宽带蓝延伸GaAlAs/GaAs光电阴极稳定性的比较 |
| 5.5 光电阴极表面电子逸出几率与表面禁带宽度变窄的研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结束语 |
| 6.1 本文工作总结 |
| 6.2 本文创新点 |
| 6.3 有待进一步解决的问题 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（6）可见—近红外半导体纳米线光电探测器的光电调控新机理研究（论文提纲范文）
| 本论文的创新点 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 维纳米材料 |
| 1.3 一维半导体纳米线的可控制备 |
| 1.4 光电探测器 |
| 1.4.1 光电探测器简介 |
| 1.4.2 光电探测器的特性参数 |
| 1.4.3 一维半导体纳米线光电探测器的研究现状 |
| 1.5 本论文的选题意义和主要研究内容 |
| 1.5.1 本论文研究的目的和意义 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 |
| 1.6 本章小结 |
| 第二章 铁电局域场增强InP纳米线可见-近红外光电探测器 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验过程 |
| 2.2.1 InP纳米线的制备与表征 |
| 2.2.2 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的制备与性能测试 |
| 2.3 InP纳米线的表征 |
| 2.4 单根InP纳米线背栅FET的电学与光电性能研究 |
| 2.5 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光电性能研究 |
| 2.5.1 铁电局域场增强纳米线FET的极化机制 |
| 2.5.2 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光响应机制 |
| 2.5.3 铁电侧栅单根InP纳米线光电探测器的光响应特性测试 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 铁电侧栅CdS纳米线紫外-可见光光电探测器 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 CdS纳米线的生长及其光电探测器的制备与测试 |
| 3.3 CdS纳米线的表征 |
| 3.4 单根CdS纳米线背栅FET的电学与光电性能 |
| 3.5 铁电侧栅单根CdS纳米线光电探测器的光电性能研究 |
| 3.5.1 单根CdS纳米线光电探测器的扫描光电流测试 |
| 3.5.2 铁电侧栅单根CdS纳米线紫外光电探测器的光电性能研究 |
| 3.5.3 铁电侧栅单根CdS纳米线可见光光电探测器的光电性能研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 p型SnX(X=Se,S)纳米线可见-近红外光电探测器 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 SnX(X=Se,S)纳米线的合成及其光电探测器的制备与测试 |
| 4.3 SnSe纳米线的表征及其电学和光电性能研究 |
| 4.3.1 SnSe纳米线的表征 |
| 4.3.2 单根SnSe纳米线FET的电学性能 |
| 4.3.3 单根SnSe纳米线光电探测器的光电性能研究 |
| 4.4 SnS纳米线的表征及其电学和光电性能研究 |
| 4.4.1 SnS纳米线的表征 |
| 4.4.2 单根SnS纳米线FET的电学性能 |
| 4.4.3 单根SnS纳米线光电探测器的光电性能研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 主要研究成果与结论 |
| 5.2 后续工作与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表论文目录 |
| 致谢 |
（7）独立量子阱中声学极化子及其自陷转变（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 本文研究内容及安排 |
| 2 量子阱的介绍 |
| 2.1 量子阱的结构 |
| 2.2 独立量子阱中的电子—纵声学声子形变势相互作用 |
| 3 独立量子阱中声学极化子的自陷 |
| 3.1 独立量子阱中电子—纵声学声子相互作用哈密顿量的推导 |
| 3.2 独立量子阱中声学极化子基态能量的计算 |
| 3.3 数值结果与讨论 |
| 3.3.1 数值结果 |
| 3.3.2 影响独立量子阱中声学极化子自陷转变的因素 |
| 4 全文总结 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表和完成的论文 |
（8）纳米硅薄膜太阳电池优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳电池的发展和研究意义 |
| 1.2 硅薄膜太阳电池的研究现状 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜太阳电池 |
| 1.2.2 多晶硅薄膜太阳电池 |
| 1.2.3 微晶硅薄膜太阳电池 |
| 1.2.4 纳米硅薄膜太阳电池 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 1.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第二章 纳米硅薄膜制备与表征技术 |
| 2.1 纳米硅薄膜制备 |
| 2.1.1 纳米硅薄膜制备方法 |
| 2.1.2 衬底准备 |
| 2.1.3 薄膜制备 |
| 2.1.4 纳米硅薄膜生长机制分析 |
| 2.2 纳米硅薄膜的物性表征技术 |
| 2.2.1 原子力显微镜 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 |
| 2.2.3 拉曼光谱技术 |
| 2.2.4 傅立叶变换红外光谱仪 |
| 2.2.5 四探针电阻测试仪 |
| 2.2.6 紫外-可见光透射光谱仪 |
| 2.2.7 纳米压痕仪 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 纳米硅薄膜太阳电池窗口层的研究 |
| 3.1 掺硼纳米硅薄膜的表面形貌特性 |
| 3.2 掺硼纳米硅薄膜的微结构研究 |
| 3.3 掺硼纳米硅薄膜的电学特性 |
| 3.4 掺硼纳米硅薄膜的光学特性 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 纳米硅薄膜太阳电池光吸收层的研究 |
| 4.1 关键工艺条件对纳米硅薄膜微结构的影响 |
| 4.1.1 衬底温度对纳米硅薄膜微结构的影响 |
| 4.1.2 射频功率对纳米硅薄膜微结构的影响 |
| 4.1.3 硅烷浓度对纳米硅薄膜微结构的影响 |
| 4.1.4 直流偏压对纳米硅薄膜微结构的影响 |
| 4.2 不同晶态比纳米硅薄膜光学特性研究 |
| 4.3 高氢稀释比例条件下纳米硅薄膜光学特性研究 |
| 4.4 高氢稀释比条件下纳米硅薄膜的氢含量计算 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 纳米硅薄膜光学理论模型研究 |
| 5.1 有效介质理论模型 |
| 5.2 膜厚均匀变化法模型 |
| 5.3 包络理论模型 |
| 5.4 纳米硅薄膜光吸收近似特性模型 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 纳米硅薄膜表面形貌特征和力学特性研究 |
| 6.1 纳米硅薄膜表面形貌特征 |
| 6.2 纳米硅薄膜力学特性研究 |
| 6.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 下一步工作及展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士期间发表论文、专利、完成科研项目及所获奖励 |
（9）铁电氧化物薄膜的制备及其激光感生电压效应（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电薄膜材料 |
| 1.1.1 铁电薄膜材料的晶体结构 |
| 1.1.2 铁电薄膜材料的制备方法 |
| 1.1.3 铁电薄膜材料的应用 |
| 1.1.4 铁电薄膜材料发展展望 |
| 1.2 脉冲激光沉积技术 |
| 1.2.1 脉冲激光沉积技术的发展 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积的基本原理及物理过程 |
| 1.2.3 脉冲激光沉积的特点及优势 |
| 1.2.4 脉冲激光沉积铁电薄膜工艺参数的研究 |
| 1.2.5 脉冲激光沉积技术在功能薄膜材料研究中的应用 |
| 1.2.6 脉冲激光沉积技术的发展趋势及应用前景 |
| 1.2.7 本论文所使用的脉冲激光沉积系统 |
| 1.3 激光感生电压效应 |
| 1.3.1 激光感生电压效应的发现及发展历程 |
| 1.3.2 热电势概述及倾斜薄膜中横向热电电压公式的推导 |
| 1.3.3 激光感生电压信号的测量 |
| 1.3.4 激光感生电压效应的应用——激光功率能量仪 |
| 1.4 本论文工作及选题意义 |
| 1.4.1 研究的目的和意义 |
| 1.4.2 研究的主要内容 |
| 第二章 PMNT铁电薄膜的制备以及薄膜中的LIV效应研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 多晶靶材的制备 |
| 2.2.1 概述 |
| 2.2.2 制备过程 |
| 2.2.3 结果与讨论 |
| 2.3 薄膜的制备 |
| 2.3.1 概述 |
| 2.3.2 实验 |
| 2.3.3 结果与讨论 |
| 2.4 LIV效应的研究 |
| 2.4.1 概述 |
| 2.4.2 实验 |
| 2.4.3 结果与讨论 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 PZT铁电薄膜的制备以及薄膜中的LIV效应研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 多晶靶材的制备 |
| 3.2.1 概述 |
| 3.2.2 制备过程 |
| 3.2.3 结果与讨论 |
| 3.3 薄膜的制备 |
| 3.3.1 概述 |
| 3.3.2 实验 |
| 3.3.3 结果与讨论 |
| 3.4 LIV效应的研究 |
| 3.4.1 概述 |
| 3.4.2 实验 |
| 3.4.3 结果与讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 NKBT铁电薄膜的制备以及薄膜中的LIV效应研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 多晶靶材的制备 |
| 4.2.1 概述 |
| 4.2.2 制备过程 |
| 4.2.3 结果与讨论 |
| 4.3 薄膜的制备 |
| 4.3.1 概述 |
| 4.3.2 实验 |
| 4.3.3 结果与讨论 |
| 4.4 LIV效应的研究 |
| 4.4.1 概述 |
| 4.4.2 实验 |
| 4.4.3 结果与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 BST铁电薄膜的制备以及薄膜中的LIV效应研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多晶靶材的制备 |
| 5.2.1 概述 |
| 5.2.2 制备过程 |
| 5.2.3 结果与讨论 |
| 5.3 薄膜的制备 |
| 5.3.1 概述 |
| 5.3.2 实验 |
| 5.3.3 结果与讨论 |
| 5.4 LIV效应的研究 |
| 5.4.1 概述 |
| 5.4.2 实验 |
| 5.4.3 结果与讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 论文的主要研究工作与重要结论 |
| 6.2 论文工作的主要创新点 |
| 6.3 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录A:超晶格X射线衍射的理论推导 |
| 附录B:攻读博士学位期间发表论文目录 |
（10）抛物势下脱离中心带负电荷的施主量子点的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 量子点的基本知识 |
| 1.3 半导体量子点材料的制备技术 |
| 1.3.1 应变自组装方法 |
| 1.3.2 微结构生长与微细加工相结合方法 |
| 1.3.3 纳米结构的汽—液—固相(VLS)生长模式 |
| 1.3.4 离子注入法 |
| 1.4 量子点的量子效应 |
| 1.4.1 量子尺寸效应 |
| 1.4.2 宏观量子隧道效应 |
| 1.4.3 量子干涉特性 |
| 1.4.4 库仑阻塞效应 |
| 1.5 半导体量子点的应用 |
| 1.5.1 量子点激光器 |
| 1.5.2 量子点在电子器件上的应用 |
| 1.5.3 量子点在生命科学中的应用 |
| 1.5.4 量子点在量子计算机中的应用 |
| 1.6 研究背景 |
| 1.7 理论研究方法 |
| 1.8 研究内容 |
| 第二章 理论模型和方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 谐振子乘积基展开法 |
| 2.3 三维Talmi-Moshisky变换系数 |
| 2.4 三维三体Talmi-Moshisky变换系数 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 抛物量子点中脱离中心D~-束缚能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 理论模型 |
| 3.3 数值结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 抛物势场下电场对脱离中心施主杂质量子点束缚能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 理论公式推导 |
| 4.3 数值结果和讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
四、半导体量子阱材料及其制备技术（论文参考文献）
- [1]流体静压力对AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中磁极化子回旋频率与回旋质量的影响[J]. 赵博,赵凤岐. 内蒙古师范大学学报(自然科学版), 2021(03)
- [2]一种新型压电式风能采集器及其接口充电电路的设计与研究[D]. 汪召明. 南昌大学, 2020(01)
- [3]钴金属配位聚合物和配体修饰的硫化镉量子点的制备及其光催化二氧化碳还原性能[D]. 李圣洁. 天津理工大学, 2020(05)
- [4]高亮度磷化铟与白光镉基半导体量子点的一锅法制备及表征[D]. 郭子慧. 天津理工大学, 2020(05)
- [5]变组分变掺杂GaAlAs/GaAs光电阴极研制与光电发射性能评估[D]. 徐源. 南京理工大学, 2018(07)
- [6]可见—近红外半导体纳米线光电探测器的光电调控新机理研究[D]. 郑定山. 武汉大学, 2017(07)
- [7]独立量子阱中声学极化子及其自陷转变[D]. 李娟. 山西师范大学, 2015(03)
- [8]纳米硅薄膜太阳电池优化研究[D]. 郭立强. 江苏大学, 2012(08)
- [9]铁电氧化物薄膜的制备及其激光感生电压效应[D]. 尚杰. 昆明理工大学, 2010(07)
- [10]抛物势下脱离中心带负电荷的施主量子点的理论研究[D]. 刘东明. 广州大学, 2009(S1)